[发明专利]构造基片的器件层的方法

权利要求书

1.一种构造预构造基片(140)的器件层(110)的方法(100)，其中，基片 (140)包括载体层(120)、器件层(110)和设置在载体层(120)与器件层(110)之 间的中间层(130)，并且其中中间层(130)被构造为至少在一个部位(121)中 暴露载体层(120)的面对器件层(110)的第一表面(122)，其中，从载体层(120) 的与第一表面(122)相对的第二表面(124)开始，器件层(110)的厚度在去除 中间层(130)的那些部位(121)处被减小到预定的厚度(126)，

其中在所述一个部位(121)上，在减小器件层(110)厚度的一个工艺步骤 中执行载体层(120)的去除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，减小的方式包括蚀刻。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，相对于载体层(120)和器 件层(110)的材料而言，所述中间层(130)用作蚀刻阻挡物。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，器件层(110)的预定厚度 由蚀刻持续时间来调节。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在减小步骤中，器件层(110) 的厚度由光学终点控制器来监控，其中，当达到预定厚度时终止减小步骤。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，器件层(110)包括一体形 成在器件层(110)中的阻挡层，所述阻挡层限定了器件层(110)的预定厚度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻挡层和器件层(110) 具有不同的掺杂材料浓度。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，器件层(110)和阻挡层之 间的掺杂材料浓度的变化包括掺杂材料浓度逐步变化或掺杂材料梯度，或 者选择不同的掺杂材料浓度来限定pn转变。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在器件层(110)和阻挡层 上施加不同的电势。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，阻挡层由不同于器件层 (110)的材料组成。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，设置在器件层上的阻挡 层具有不同于器件层(110)的晶体结构或晶体取向。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，器件层(110)在与载体层 (120)的第一表面(122)相对的至少一个区域中包括相对于载体层(120)的材 料有效地作为蚀刻阻挡物的附加层。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，减小步骤包括下述步 骤：

蚀刻载体层(120)，直到附加层暴露出来；

去除器件层(110)表面上的附加层；和

将器件层(110)蚀刻到预定厚度。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片为BSOI晶片。

15.一种制造微机械结构的方法，包括：

提供基片(140)，所述基片包括器件层(110)、载体层(120)和设置在器 件层(110)与载体层(120)之间的中间层(130)，其中，中间层(130)被构造为 至少在一个部位中暴露载体层(120)的面对器件层(110)的第一表面(122)； 和

在基片(140)的器件层(110)中形成微机械结构，其中，微机械结构的形 成包括根据权利要求1到14任意一项所述的方法在微机械结构的至少一 个区域上将器件层(110)的厚度减小到预定厚度。

16.微机械结构，包括：

基片(140)，其包括器件层(110)、载体层(120)和设置在器件层(110)与 载体层(120)之间的中间层(130)，其中，中间层(130)被构造为至少在一个 部位中暴露载体层(120)的面对器件层(110)的第一表面(122)；和

微机械结构区域中的至少一个部位，其中根据权利要求1到14任意 一项所述的方法减小器件层(110)的厚度。