[发明专利]电子部件及其制造方法有效
申请号: | 200910142735.7 | 申请日: | 2009-06-02 |
公开(公告)号: | CN101599446A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 上田知史;宓晓宇;高桥岳雄 | 申请(专利权)人: | 富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/15;H01L23/498;H01L23/13;H01F37/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子部件的制造方法,其特征在于,该制造方法具有以下步骤:
在层叠的生片的第一主面上印刷与内部配线电连接的导体图案的步骤;
将在与所述导体图案对应的区域中形成有开口部的开口生片重叠在所述第一主面上的步骤;
在层叠方向上对重叠有所述开口生片的层叠生片进行加压的步骤;
通过将所述层叠生片和所述导体图案一起焙烧来形成多层陶瓷基板的步骤;以及
在所述多层陶瓷基板的与所述第一主面相反侧的第二主面上设置与所述内部配线电连接的电子元件的步骤,
在对所述层叠生片进行加压的步骤中,使所述导体图案的表面成为向所述开口生片的所述开口部的内侧凹进的形状。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于,还具有在形成所述陶瓷基板的步骤后,在所述导体图案的表面形成保护膜的步骤,
在形成所述保护膜的步骤中,使所述保护膜的表面成为与所述开口生片的表面处于同一平面,或成为向所述开口部的内侧凹进的形状。
3.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于,设置所述电子元件的步骤包括以下步骤:通过在所述多层陶瓷基板的所述第二主面上形成金属层,来形成所述电子元件。
4.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于,该制造方法还具有:
在所述第一主面中没有印刷所述导体图案的区域上形成空腔的步骤;以及
在所述空腔的底面上形成与所述层叠生片的所述内部配线电连接的导体图案的步骤。
5.根据权利要求4所述的电子部件的制造方法,其特征在于,该制造方法还具有在所述空腔的底面上设置有与所述内部配线电连接的、不同于所述电子元件的其他电子元件的步骤。
6.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于,所述导体图案由以Ag、Cu或者Ni为主要成分的导体构成。
7.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法,其特征在于,该制造方法还具有按照预定的区段来切断所述多层陶瓷基板的步骤。
8.一种晶片,其特征在于,该晶片具备:
多层陶瓷基板,其具有内部配线,并在第一主面上具有凹部;以及
导体图案,其设置在所述凹部的底面上,与所述内部配线电连接,并与所述多层陶瓷基板一起焙烧,
所述导体图案的表面成为向所述多层陶瓷基板的所述凹部的内侧凹进的形状。
9.一种电子部件,其特征在于,该电子部件具有:
多层陶瓷基板,其具有内部配线,并在第一主面上具有凹部;
导体图案,其设置在所述凹部的底面上,与所述内部配线电连接,并与所述多层陶瓷基板一起焙烧;以及
电子元件,其设置在所述多层陶瓷基板的与所述第一主面相反侧的第二主面上,并与所述内部配线电连接,
所述导体图案的表面成为向所述多层陶瓷基板的所述凹部的内侧凹进的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造