[发明专利]薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

一源极，所述源极包括一第一部分，所述第一部分具有一第一侧缘；以及

一漏极，所述漏极包括一第二部分，所述第二部分具有一第二侧缘；

其中，所述第一侧缘朝向所述第二部分，所述第二侧缘朝向所述第一部分，并且所述第一侧缘与所述第二侧缘分别具有多个凹凸，所述第一侧缘的所述这些凹凸与所述第二侧缘的所述这些凹凸实质上彼此互补。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸是为至少部分连续。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸包括一角形，其中所述角形具有一尖角，所述尖角实质上介于60度至120度之间。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸包括一矩形、一弧形、一梯形或上述的组合，其中所述弧形包括一圆弧，所述圆弧的一圆心角实质上介于60度至120度之间。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一部分及所述第二部分沿所述这些凹凸适可定义一对应长度，且所述第一侧缘及所述第二侧缘之间形成一间距，所述对应长度与所述间距的比值，实质上介于1与20之间。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极包括至少一阳性结构，所述漏极包括至少一阴性结构，与所述至少一阳性结构对应。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分实质上平行对应。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构更包括：

一栅极，与所述源极和漏极绝缘；以及

一通道层，其两端分别与所述源极和所述漏极电连接。

9.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：

一源极，所述源极包括一第一主结构与一第一微结构，所述第一微结构至少局部形成于所述第一主结构的轮廓上；以及

一漏极，所述漏极包括一第二主结构与一第二微结构，所述第二微结构至少局部形成于所述第二主结构的一轮廓上；

其中，所述第一微结构至少局部朝向所述漏极，所述第二微结构至少局部朝向所述源极，所述第一微结构与所述第二微结构分别具有多个凹凸，所述第一微结构的所述这些凹凸与所述第二微结构的所述这些凹凸彼此对应。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一微结构的所述这些凹凸与所述第二微结构的所述这些凹凸实质上彼此互补。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸是至少部分连续。

12.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸包括一角形，其中所述角形具有一尖角，所述尖角实质上介于60度至120度之间。

13.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸包括一矩形、一弧形、一梯形或上述的组合，其中所述弧形包括一圆弧，所述圆弧的一圆心角实质上介于60度至120度之间。

14.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一主结构及所述第二主结构分别沿所述这些凹凸适可定义一对应长度，且所述第一微结构及所述第二微结构之间形成一间距，所述对应长度与所述间距的比值，实质上介于1与20之间。

15.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述这些凹凸至少包括一凹部及一凸部，所述第一微结构的所述凹部对应于所述第二微结构的所述凸部，且所述第一微结构的所述凸部对应于所述第二微结构的所述凹部。

16.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极的所述第一主结构为矩形，所述漏极的所述第二主结构为U形，且所述漏极实质上围绕所述源极。

17.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极的所述第一主结构与所述漏极的所述第二主结构为蜗形，且实质上平行对应。

18.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构更包括：

一栅极，与所述源极和漏极绝缘；以及

一通道层，其两端分别与所述源极和所述漏极电连接。