[发明专利]固体摄像器件和电子装置

说明书

相关申请的交叉参考 

本申请包含与2008年5月13日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2008-126320的公开内容相关的主题，在此将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。 

技术领域

本发明涉及诸如CMOS图像传感器和CCD图像传感器等固体摄像器件，还涉及具有这种固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。 

背景技术

固体摄像器件分为以CMOS图像传感器为代表的放大型固体摄像器件和以CCD图像传感器为代表的电荷传输型固体摄像器件。当CMOS图像传感器与CCD图像传感器比较时，由于CCD图像传感器必需使用比CMOS图像传感器的电压更高的电压来传输信号电荷，因而向CCD图像传感器施加的电压高于向CMOS图像传感器施加的电压。因此，由于CMOS图像传感器使用的电源电压以及消耗的能量比CCD图像传感器低，因而已经在诸如带有内置照相机的移动电话等移动装置和个人数字助理(PDA)中更多地使用CMOS图像传感器而不是CCD图像传感器来作为固体摄像器件。 

日本专利申请公开公报特开平9-148549号(以下称作专利文件1)公开了一种固体摄像器件，在该固体摄像器件中，改变用于各颜色的片上透镜(on-chip lense)的高度以得到较高的颜色再现性，从而消除了由于彩色滤光器的颜色差异引起的灵敏度差异。 

日本专利申请公开公报特开2000-12814号(以下称作专利文件2)公开了一种固体摄像器件，在该固体摄像器件中，用于各颜色的彩色滤光器被形成为具有对应于所需光谱特性的膜厚度以得到较高的颜色再现性，从而得到了所需的光谱灵敏度特性。 

日本专利申请公开公报特开2002-151670号(以下称作专利文件3)公开了一种固体摄像器件，在该固体摄像器件中，对应于所布置的颜色来改变层内透镜的曲率，从而抑制在使像素微细化的过程中会产生的拖尾现象(smearing)并防止灵敏度降低。 

日本专利申请公开公报特开2005-142221号(以下称作专利文件4)公开了一种背侧照射型CMOS固体摄像器件，在该背侧照射型CMOS固体摄像器件中，形成有具有10μm以下厚度的硅层，从而使像素微细化且具有高灵敏度。 

日本专利申请公开公报特开2007-258684号(以下称作专利文件5)公开了一种固体摄像器件，在该固体摄像器件中，形成有具有固定负电荷的铪膜从而在各光电二极管的前表面上累积空穴。 

在固体摄像器件中，用于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的光电转换部即光电二极管各自具有图1所示的光谱灵敏度特性。图1示出了半导体即硅中的光谱灵敏度特性。图1所示的光谱灵敏度特性表示波长依赖性。在图1中，横轴表示光波长并且纵轴表示光谱灵敏度的相对比率。在图1中，曲线1R表示红色(R)的光谱灵敏度特性，曲线2G₁表示绿色(G)的光谱灵敏度特性，并且曲线3B表示蓝色(B)的光谱灵敏度特性。在各个光电二极管的前表面上形成有绝缘膜，例如氮化硅膜。由于氮化硅膜吸收具有400nm～500nm蓝色波长范围的光，因此氮化硅膜的蓝色灵敏度低于氮化硅膜的红色灵敏度和绿色灵敏度。 

对于绿色的光谱灵敏度特性2G₁而言，该曲线的波谷部分的短波长侧与蓝色的光谱灵敏度曲线3B相交，而该曲线的波谷部分的长波长侧与红色的光谱灵敏度曲线1R相交。短波长侧的交点(所谓的交叉点)a1和长波长侧的交叉点b1越高，则在硅中会产生更多的混色(color mixture)(像素间的干扰)，即颜色噪声。在绿色的光谱灵敏度曲线2G₁上，交叉点a1的较短波长侧称作漂浮段5，而交叉点b1的较长波长侧称作漂浮段6。 

在固体摄像器件中，当能够使交叉点a1和b1降低时，就能够减小半导体中的混色(像素间的干扰)。随着使像素进一步微细化，期望在不以降低各颜色的峰值灵敏度为代价的情况下减小半导体中的混色(像素间的干扰)。 

发明内容

考虑到上述情况，本发明的目的是提供一种固体摄像器件，该固体摄像器件能够在不以降低各颜色的峰值灵敏度为代价的情况下，减小半导体中构成相应像素的光电转换部的混色(像素间的干扰)。 

另外，本发明的目的是提供一种具有能够减小上述混色(像素间的干扰)的固体摄像器件的电子装置。