[发明专利]对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法

权利要求书

1.一种对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于该方法包括 以下步骤：

提供一晶圆；

判定在该晶圆一表面的一特征的一厚度分布；

在判定该厚度分布的步骤后，利用一研磨配方对该特征进行一高速化 学机械研磨工艺以达到该特征的一晶圆内厚度均匀性，其中该研磨配方包 括施于晶圆不同区的理想压力及高速化学机械研磨工艺的理想研磨时间， 且该研磨配方是根据该厚度分布来决定，所述的高速化学机械研磨工艺的 步骤包含进行一分区化学机械研磨工艺，对该晶圆的不同区施以不同压力； 以及

在进行所述的高速化学机械研磨工艺的步骤后，进行一低速化学机械 研磨工艺，其中该低速化学机械研磨工艺未分区，且该低速化学机械研磨 工艺是利用一端点侦测来进行，且其中该低速化学机械研磨工艺在该特征 的一预定目标厚度达到时停止。

2.根据权利要求1所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于更包含，在该低速化学机械研磨工艺在该特征的一预定目标厚度达 到后，进行一抛光化学机械研磨工艺一预定时间长度。

3.根据权利要求2所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于更包含：

在该进行一抛光化学机械研磨工艺的步骤后，测量该特征的一厚度；以 及

比较该厚度与该特征的一最终目标厚度以判定一厚度差异。

4.根据权利要求3所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于更包含回馈该厚度差异以调整该研磨配方。

5.根据权利要求3所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于更包含回馈该厚度差异以调整该预定时间长度。

6.根据权利要求3所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于更包含对该晶圆进行一额外抛光化学机械研磨工艺，根据该厚度差 异决定一额外研磨时间长度。

7.一种对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于该方法包括 以下步骤：

提供包含一内层介电层的一晶圆；

进行一第一测量以判定该内层介电层的一厚度分布；

根据该厚度分布决定一研磨配方，其中该研磨配方包括施于晶圆不同 区的理想压力及高速化学机械研磨工艺的理想研磨时间；

利用该研磨配方对该内层介电层进行一第一化学机械研磨工艺，其 中，在进行该第一化学机械研磨工艺的步骤后，该内层介电层具有一晶圆内 厚度均匀性；

决定该内层介电层的一目标厚度以用于一低速化学机械研磨工艺；

对该内层介电层进行该低速化学机械研磨工艺并同时监测该内层介电 层的一厚度；

当该内层介电层的该厚度达到该目标厚度时，停止该低速化学机械研 磨工艺；

进行一抛光化学机械研磨工艺一预定研磨时间；

在该进行一抛光化学机械研磨工艺的步骤后，进行一第二测量以判定 该内层介电层的该厚度；

比较自该第二测量取得的该内层介电层的该厚度与一最终目标内层介 电层厚度以判定一厚度差异；以及

回馈该厚度差异以调整该预定研磨时间。

8.根据权利要求7所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于其中所述的研磨配方包含对该晶圆的不同区施以不同压力。

9.根据权利要求7所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于其中所述的低速化学机械研磨工艺及该抛光化学机械研磨工艺是未 分区。

10.根据权利要求7所述的对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，其特 征在于其中所述的监测该内层介电层的一厚度的步骤包含：

在该低速化学机械研磨工艺期间投射一白光到该内层介电层上；以及

比较自该内层介电层反射的一光线的一频谱与预先储存的光谱以判定 该内层介电层的厚度。