[发明专利]碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

通过使粉末状的光催化剂附着在所述碳纳米管膜上，并对所述光催化剂照射光来进行光催化处理，从而分解所述有机物。

3.根据权利要求2所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

通过将所述碳纳米管膜浸渍在悬浮有粉末状的光催化剂的悬浮液中，使所述光催化剂附着在所述碳纳米管膜上，并在所述悬浮液中对所述光催化剂照射光来进行光催化处理，从而分解所述有机物。

4.根据权利要求2所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，在进行了所述光催化处理后，进行除去副产物的处理。

5.根据权利要求2所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述光催化剂包括金属氧化物半导体、元素半导体或化合物半导体。

6.根据权利要求2所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述光催化剂由微粒子状的ZnO构成。

7.根据权利要求1所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

通过将所述碳纳米管膜浸渍在含有能够将过氧化氢还原一个电子生成羟自由基的过渡金属离子的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。

8.根据权利要求7所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述过渡金属离子是Fe²⁺、Ti³⁺、Cu⁺、Co²⁺、Cd²⁺、Ag⁺、Mn²⁺或Ni²⁺。

9.根据权利要求1所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述碳纳米管膜形成在透明基板上。

10.根据权利要求9所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述透明基板是透明塑料基板。

11.根据权利要求1所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述碳纳米管膜是单壁碳纳米管膜。

12.根据权利要求1所述的碳纳米管膜的制造方法，其特征在于，

所述有机物是表面活性剂。

13.一种碳纳米管膜，其特征在于，

所述碳纳米管膜是通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物从而制得的。

14.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物的步骤。

15.一种电子装置，其特征在于，包括：

碳纳米管膜，所述碳纳米管膜是通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物从而制得的。