[发明专利]热动力电子装置、冷却电子装置的方法及发光二极管

权利要求书

1.一种热动力电子装置，其特征在于其包括：

一钻石材料层，其涂布在一支撑基材上；

一电路，其设置在该钻石材料层上，该钻石材料层配置为加速热从该电路离开。

2.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的钻石材料层的材料为类钻碳。

3.根据权利要求2所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的类钻碳为非晶碳。

4.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的钻石材料层的材料为结晶钻石。

5.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的钻石材料层具有从约0.1至约100.0微米的厚度。

6.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的钻石材料层具有从约0.1至约20.0微米的厚度。

7.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的支撑基材为金属。

8.根据权利要求7所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的金属为铝。

9.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的支撑基材为高分子材料。

10.根据权利要求9所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的高分子材料是选自于由以下物质所构成的群组：聚胺化合物、聚丙烯酸酯、聚酯、聚酰胺、聚亚酰胺、聚氨酯、多酚、环氧树脂、异氰酸酯、聚异氰脲酸酯、聚硅氧烷、聚乙烯化合物、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚丙烯酸、聚碳酸酯及其混合物。

11.根据权利要求10所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的高分子材料为环氧树脂。

12.根据权利要求1所述的热动力电子装置，其特征在于其中所述的支撑基材为半导体材料。

13.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述的半导体材料为硅。

14.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述的电路包括至少一传导路径。

15.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述的电路包括晶片级电路。

16.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其还包括一额外的钻石材料层，其是涂布于该电路上，使得该电路位于该钻石材料层以及该额外的钻石材料层之间。

17.一种冷却电子装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：

涂布一钻石材料层在一支撑基材上；以及

在该钻石材料层上沉积具有热源的电路，以使得热移动从热源快速离开而移动到钻石材料中。

18.根据权利要求17所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的沉积具有热源的电路还包括：

沉积一未硬化的导电胶于该钻石材料上；以及

硬化该未硬化的导电胶以形成一硬化的导电电路。

19.根据权利要求17所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的沉积具有热源的电路还包括藉由物理气相沉积法沉积一导电材料。

20.根据权利要求19所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的导电材料包括一选自于由铜、银、金、铂、铝、钛、钨、钼、其合金及其组合物所组成的群组的物质。

21.根据权利要求19所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的导电材料包括一选自于由铜、银、金、铂、其合金及其混合物所组成的群组的物质。

22.根据权利要求19所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的沉积一导电材料还包括：

沉积一缓冲层于该钻石材料上；以及

沉积该导电材料于该缓冲层上，其中该缓冲层能促进钻石材料与导电材料之间的黏着性。

23.根据权利要求22所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的缓冲层是以钻石材料形成一碳化物层。

24.根据权利要求22所述的冷却电子装置的方法，其特征在于其中所述的缓冲层是包括选自由铬、钛、钨、钴、钼、钽、铝、镍、锆、铌及其组合所组成的群组的物质。