[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 200910143330.5 | 申请日: | 2006-01-17 |
公开(公告)号: | CN101615569A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根 | 申请(专利权)人: | IPS有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/677;H01L21/683;C23C16/44;C23C14/56;C23F4/00 |
代理公司: | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人: | 张小娟;徐 林 |
地址: | 韩国京*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
1.一真空处理装置,包括:
一真空处理腔与一邻近腔室连接,所述真空处理腔包括一上盖和一 下盖,该上盖和下盖可分离地相互连接,构成一真空处理空间;和
一移动单元,通过在垂直于真空处理腔与邻近腔室的连接方向的方 向上移动上盖,用来从下盖分离上盖。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其中移动单元包括:
一对下部水平移动单元,分别安装在下盖相对侧;
一对上部水平移动单元,各个上部水平移动单元在各个下部水平移 动单元上可旋转地和上盖连接,并以水平方向移动上盖从下盖分离;以 及
一升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装到其上,该升降单元 从下盖分离上盖或通过提升或降低上部水平移动单元使上盖和下盖连 接。
3.如权利要求2所述的真空处理装置,其中各上部水平移动单元包 括一上部引导单元在上盖的每一侧和上盖连接,一上部水平移动部件与 上部引导单元连接,用来使上盖的水平移动沿着上部引导单元,上部水 平移动部件与上盖连接;以及
各下部水平移动单元,包括一以水平方向安装在下盖各侧的下部引 导单元,和一连接下部引导单元的下部水平移动部件,使下盖的水平移 动沿着下部引导单元。
4.如权利要求3所述的真空处理装置,其中升降单元包括至少一第 一提升移动单元,该第一提升移动单元的一末端连接下部引导单元,其 另一末端连接上部引导单元,该第一提升移动单元提升或降低上部引导 单元;和至少一第二提升移动单元,该第二提升移动单元的一末端连接 下部水平移动部件,其另一末端连接上部水平移动部件,该第二提升移 动单元提升或降低上部水平移动部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造