[发明专利]多晶硅还原炉

说明书

技术领域

本发明属于化工行业用于多晶硅生产的设备，即多晶硅还原炉。

背景技术

现有的多晶硅还原炉均采用单管喷射式，即将氢气、三氯化硅以一定的比例混合后由一根喷管进入还原炉，这样往往会造成硅棒沉积不均匀，使得吸收率低还原不彻底。

发明内容

为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案，一种多晶硅还原炉，包括有炉罩、底盘、多晶硅硅棒、进料管和喷头，炉罩安装在底盘上，底盘上安装有至少一组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管和出料管相连通的喷头，喷头为三个或三个以上。

所述的喷头由三个独立管道组合而成，其中位于喷头顶端开口的为进料管道口，喷头两侧面开口的分别为出料管道口。

本发明采用低速三管进料方式，大大的提高了还原速度和沉积率，使得收率从之前的30％左右提高到了80％左右。同时将进料管道和出料管道组合在一起，也使得本发明生产成本低，使用时占用场地小。

附图说明

图1多晶硅氢还原炉结构示意图；

图2多晶硅氢还原炉其喷头结构示意图。

图中：1、炉罩；2、底盘；3、多晶硅硅棒；4、进料管；5、出料管；6、喷头；7、导轨；8、进料管道口；9、出料管道口；10、出料管道口。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的说明：

如图1所示，一种多晶硅还原炉，包括有炉罩1、底盘2、多晶硅硅棒3、进料管4、出料管5和喷头6。炉罩1安装在底盘2上，底盘2上安装有至少一组多晶硅硅棒3，同时底盘2上还设有与底盘下部的进料管4和出料管5相连通的喷头6.喷头6为三个或三个以上。这样便使由喷头6进入炉内的进料与多晶硅硅棒3有充分的接触面，大大的提高了还原速度和沉积率。如图2所示，所述的喷头6由3个独立管道组合而成，其中位于喷头6顶端开口的为进料管道口8，喷头6两侧面开口的分别为出料管道口9和10。将进料管道和出料管道组合在一起，也使得本发明生产成本低，也为充分利用生产场地提供了有利条件。