[发明专利]连接方法和基底

说明书

技术领域

[1]本发明涉及连接方法和基底。更具体地说，本发明涉及能减小由于连接部分中阻抗不匹配而产生的反射，并且在例如电子部件将被安装于基底上的情况下能满意地保持信号质量的连接方法，以及涉及使用该方法的基底。

背景技术

[2]部件和基底之间的连接结构大致分为下面两种类型。一种类型是完全屏蔽结构，例如同轴电缆，另一种类型是在例如基底上的布线的信号线之间存在诱导容量(inductive capacity)的开放结构。

[3]虽然从串扰和电磁干扰的角度来看，后一种的开放结构要比同轴结构差，但是开放结构是一种实用的结构，应当理解，当同普通的印刷电路基底比较时，就设计、制造和检查所产生的工业成本而言以及就连接属性而言，开放结构是有利的。

[4]然而，以开放结构的线路的形状，当处理高速信号时，传输信号的退化变成显著问题。具体地说，如图1所示，在表面安装于基底上的电子部件之间的连接部分和基底中，由于阻抗不匹配导致的反射波的影响，传输信号易于受到衰减/退化。

[5]通过把布线形成为像微带那样的线结构，能调整阻抗，使得可以处理高速信号。然而，在层/基底/部件之间的安装具有不同高度的情况下，必须像图2所示那样从部件侧面伸出接线端部分，或者必须如图3所示那样从焊球形成通孔，从而连接到基底上的布线。因此，在图1所示的部件和基底之间的连接部分中，不可能维持一个能通过其调整阻抗的线结构，并且很难避免信号质量的退化。

[6]作为一种在连接部分中调整阻抗的方法，日本未经审查专利申请公开No.2000-216510公开了一种方法。

发明内容

[7]在日本未经审查专利申请公开No.2000-216510所公开的方法中，能减少由于连接到基底的连接器的电感因数而在传输信号中产生的波形失真。为了该目的，必须在连接部分的周围形成同轴的通孔。

[8]因此，例如，结构安排问题使其难以对基底的端面使用该方法，并且可能在高密度布线中出现空间问题。因此，难以应对向更高布线密度和部件微型化发展的最新的技术趋势。

[9]在例如电子部件安装于在其上处理高速信号(例如射频(RF)信号)的基底上的情况下，期望减小由于连接部分中的阻抗不匹配而导致的反射，并且满意地维持信号质量。

[10]根据本发明的一个实施例，提供了一种连接方法，包括步骤：使用介电元件上的线路来连接信号流经的两个点，所述两个点具有不同的高度并且已经基于所述介电元件的厚度调整了所述两个点的位置处的所述线路的宽度。

[11]所述两个点中的较高点可以是安装于基底上的电子部件的线路上的一个点，并且所述两个点中的较低点可以是所述基底的线路上的一个点。

[12]可在由介电材料构成的电子部件的端部中形成一个区域，沿着所述区域，所述介电元件的厚度朝与所述基底的线路之间的连接部分而减小，并且具有不同高度的所述两个点可通过沿所述区域布置的线路而连接。

[13]可在由介电材料构成的电子部件的端部中形成台阶，在所述台阶上，所述介电元件的厚度朝与所述基底的线路之间的连接部分而减小，并且具有不同高度的所述两个点可通过在所述台阶上布置的线路而连接。

[14]根据本发明的另一个实施例，提供了一种基底，其中使用介电元件上的线路连接信号所流经的两个点，所述两个点具有不同的高度并且已经基于所述介电元件的厚度调整了所述两个点的位置处的线路的宽度。

[15]所述两个点中的较高点可以是安装于基底上的电子部件的线路上的一个点，并且所述两个点中的较低点可以是所述基底的线路上的一个点。

[16]可在由介电材料构成的电子部件的端部中形成一个区域，沿着所述区域，所述介电元件的厚度朝与所述基底的线路之间的连接部分而减小，并且具有不同高度的所述两个点可通过沿所述区域布置的线路而连接。

[17]可在由介电材料构成的电子部件的端部中形成台阶，在所述台阶上，所述介电元件的厚度朝与所述基底的线路之间的连接部分而减小，并且具有不同高度的所述两个点可通过在所述台阶上布置的线路而连接。

[18]根据本发明的实施例，在例如电子部件被安装到基底上的情况中，能减小由于连接部分中的阻抗不匹配而导致的反射并且能满意地维持信号质量。

附图说明

图1示出了根据现有技术的连接电子部件和基底的方法；

图2示出了根据现有技术的表面安装部件的结构；

图3示出了根据现有技术的表面安装部件的另一个配置；