[发明专利]一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法有效

专利信息
申请号: 200910145826.6 申请日: 2009-06-15
公开(公告)号: CN101571502A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 张瑞云;迈克·杰尼根 申请(专利权)人: 重庆大全新能源有限公司
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 404000重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 测定 多晶 硅中硼 含量 方法
【权利要求书】:

1.一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于,包括:

在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅;

测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型,所述预设位置具体为测量单 晶硅头部和距离头部至少5倍熔区位置;

将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结 合起来,以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数,建立二元一次方程组;

依据所述二元一次方程组得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。

2.根据权利要求1所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 所述测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型的具体步骤为:测量单晶硅的 头部的电阻率和P/N类型,并测试单晶硅距离头部至少5倍熔区位置的电阻 率和P/N类型。

3.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为N型,且距离头部至少5倍熔区位置的导电 类型也为N型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:

10^((LOG(R1)-4.87815)/-0.96262)=0.35*X-0.8*Y;

所述二元一次方程组的第二方程式为:

10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)=X-Y;

R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。

4.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时,且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型为N型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:

10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)=0.8*Y-0.35*X;

所述二元一次方程组的第二方程式为:

10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)=X-Y;

R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。

5.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时,且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型也为P型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:

10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)=0.8*Y-0.35*X;

所述二元一次方程组的第二方程式为:

10^((LOG(R2)-5.38454)/-0.97857)=Y-X;

R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。

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