[发明专利]一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法有效
| 申请号： | 200910145826.6 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101571502A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张瑞云;迈克·杰尼根 | 申请（专利权）人： | 重庆大全新能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 404000重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测定 多晶 硅中硼 含量 方法 | ||
1.一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于，包括：
在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅；
测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型，所述预设位置具体为测量单 晶硅头部和距离头部至少5倍熔区位置；
将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结 合起来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组；
依据所述二元一次方程组得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。
2.根据权利要求1所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于， 所述测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型的具体步骤为：测量单晶硅的 头部的电阻率和P/N类型，并测试单晶硅距离头部至少5倍熔区位置的电阻 率和P/N类型。
3.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于， 当测量单晶硅头部的导电类型为N型，且距离头部至少5倍熔区位置的导电 类型也为N型时，则所述二元一次方程组的第一方程式为：
10^((LOG(R1)-4.87815)/-0.96262)＝0.35*X-0.8*Y；
所述二元一次方程组的第二方程式为：
10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)＝X-Y；
R1为单晶硅头部的电阻率，R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率， X为磷的总含量，Y为硼的总含量。
4.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于， 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时，且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型为N型时，则所述二元一次方程组的第一方程式为：
10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)＝0.8*Y-0.35*X；
所述二元一次方程组的第二方程式为：
10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)＝X-Y；
R1为单晶硅头部的电阻率，R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率， X为磷的总含量，Y为硼的总含量。
5.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于， 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时，且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型也为P型时，则所述二元一次方程组的第一方程式为：
10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)＝0.8*Y-0.35*X；
所述二元一次方程组的第二方程式为：
10^((LOG(R2)-5.38454)/-0.97857)＝Y-X；
R1为单晶硅头部的电阻率，R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率， X为磷的总含量，Y为硼的总含量。
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