[发明专利]一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法有效
申请号: | 200910145826.6 | 申请日: | 2009-06-15 |
公开(公告)号: | CN101571502A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 张瑞云;迈克·杰尼根 | 申请(专利权)人: | 重庆大全新能源有限公司 |
主分类号: | G01N27/04 | 分类号: | G01N27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 404000重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测定 多晶 硅中硼 含量 方法 | ||
1.一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于,包括:
在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅;
测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型,所述预设位置具体为测量单 晶硅头部和距离头部至少5倍熔区位置;
将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结 合起来,以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数,建立二元一次方程组;
依据所述二元一次方程组得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。
2.根据权利要求1所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 所述测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型的具体步骤为:测量单晶硅的 头部的电阻率和P/N类型,并测试单晶硅距离头部至少5倍熔区位置的电阻 率和P/N类型。
3.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为N型,且距离头部至少5倍熔区位置的导电 类型也为N型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:
10^((LOG(R1)-4.87815)/-0.96262)=0.35*X-0.8*Y;
所述二元一次方程组的第二方程式为:
10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)=X-Y;
R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。
4.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时,且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型为N型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:
10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)=0.8*Y-0.35*X;
所述二元一次方程组的第二方程式为:
10^((LOG(R2)-4.87815)/-0.96262)=X-Y;
R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。
5.根据权利要求2所述的测定多晶硅中硼、磷含量的方法,其特征在于, 当测量单晶硅头部的导电类型为P型时,且距离头部至少5倍熔区位置的导 电类型也为P型时,则所述二元一次方程组的第一方程式为:
10^((LOG(R1)-5.38454)/-0.97857)=0.8*Y-0.35*X;
所述二元一次方程组的第二方程式为:
10^((LOG(R2)-5.38454)/-0.97857)=Y-X;
R1为单晶硅头部的电阻率,R2为距离头部至少5倍熔区位置的电阻率, X为磷的总含量,Y为硼的总含量。
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