[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多层布线层，其在所述衬底上形成并具有分别交替地依次堆叠t 次或更多次的绝缘层和布线层，其中t≥3；

第一电感器，其设置在所述多层布线层中的第n布线层中；以及

第二电感器，其设置在所述多层布线层中的第m布线层中并位于 所述第一电感器上方，其中t≥m≥n+2，

其中在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不 设置位于第一电感器上方的任何电感器，

其中，所述第一电感器与所述第二电感器电隔离。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括被连接到所述第一电 感器和所述第二电感器中的一个的第一电路。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一电路被连接到 所述第一电感器。

4.如权利要求2所述的半导体器件，还包括被连接到所述第一电 感器和所述第二电感器中的另一个的第二电路，与输入到所述第一电 路的电压不同的电压被输入到所述第二电路。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述衬底是SOI(绝缘 体上硅)衬底；

所述第一电路具有在所述衬底的第一区域中形成的第一晶体管；

所述第二电路具有在所述衬底的第二区域中形成的第二晶体管； 以及

所述SOI衬底的半导体层具有使所述第一区域和所述第二区域彼 此绝缘的掩埋绝缘层。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述 第二晶体管具有彼此不同的参考电势。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一电感器和所述 第二电感器在所述SOI衬底中的所述第一区域和所述第二区域之间的 第三区域上方形成；

所述第一电感器被连接到所述第一电路；以及

所述掩埋绝缘层使第二区域与所述第一区域和所述第三区域绝 缘。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第n布线层是所述 布线层中的最下层，并且所述第m布线层是所述布线层中的最上层。