[发明专利]彩色滤光阵列有效
申请号: | 200910146225.7 | 申请日: | 2009-06-22 |
公开(公告)号: | CN101930984A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 吴沂庭 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/23;G09F9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 滤光 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种彩色滤光阵列,尤指一种可有效提升管芯可利用面积的彩色滤光阵列。
背景技术
随着数字时代的来临,数字信号播送形式与显示技术的改变,使近年来各种不同于传统阴极射线管(cathode ray tube,CRT)显示器的各类平面显示器,如液晶显示器(liquid crystal display,LCD)、场发射显示器(field emission display,FED)、有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示器以及等离子体显示器(plasma display panel,PDP)等广泛地被应用于日常生活上。
除此之外,由于微型显示器(micro-display)可利用光学方式将影像放大至超过上述平面显示器的尺寸,故更符合超大尺寸显示的需求。且微型显示器可应用于各类型的显示器,如LCD或OLED显示器,举例来说,应用于LCD的微型显示器即称为微型液晶面板。微型显示器因其成像方式的不同可概分为穿透式及反射式两大类。穿透式液晶微型显式面板主要建构于玻璃基板上,其运作时光线透过显示面板;反射式液晶微型面板则建构于硅基板上,因此亦称为单晶硅液晶(liquid crystal on silicon display panel,LCoS)面板。LCoS面板利用硅晶片作为基板,并以金属氧化物半导体晶体管(MOS transistor)取代薄膜晶体管,且与一般LCD面板利用透明导电材料作为像素电极不同,LCoS面板是以金属材料作为像素电极,通过光线反射的原理成像,因而称的为反射式液晶微型面板。
不论是穿透式或反射式的微型显示器,面板上都需要有彩色滤光阵列(color filter array)的制作与设置。请参阅图1,图1为已知微型显示器的彩色滤光阵列的示意图。如图1所示,彩色滤光阵列10具有多个彩色滤光片12R、12G、12B,呈矩形阵列排列,设置于玻璃晶片(glass wafer)或微型显示器的元件晶片(device wafer)上14;且不论矩形彩色滤光阵列10设置于玻璃晶片或元件晶片上,其皆是对应于元件晶片上所包含的次像素单元阵列所设置,用以使微型显示器的每一像素呈现丰富亮丽的颜色。如图1所示,矩形彩色滤光阵列10设置于管芯16的中央,且各管芯16通过切割道(scribe line)18区隔开来。最后在切割工艺时,即利用切割机(cutter)沿着切割道18将晶片14切割为个别的管芯16。
请继续参阅图1。在切割工艺中,总难免会在晶片14中产生机械内应力(internal stress),并产生裂缝(crack)。而为了避免切割时此强烈的应力影响到管芯16内具有实际功能的元件,因此管芯16内的各元件如次像素单元以及与的相对应的矩形彩色滤光阵列10将会设置于管芯16中央,并且如图1所示,与管芯16各边缘维持距离d1。尤其在管芯角落(corner)处,通过金属布线(metal line)20标示角落布局规则,且与管芯16的角落顶点(apex)16a维持拓扑布局规则(topological layout rules,以下简称为TLR)所要求的距离d2。举例来说,当管芯16尺寸大于等于100平方毫米(mm2)时,金属布线20与管芯16的角落顶点16a的距离d2为340微米(μm);当管芯16尺寸小于100平方毫米时,金属布线20与角落顶点16a的距离d2为125微米。更重要的是,金属布线20与管芯16角落的两侧边如图1所示呈45度角设置,以于切割工艺时保护接近管芯16角落的元件。而矩形彩色滤光阵列10的四个角落顶点10a亦根据TLR要求而分别与金属布线20维持距离d3;距离d3大于25微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910146225.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的