[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于其包括：

一基底，具有一阶状上表面，其中该阶状上表面包括一第一表面、低于该第一表面的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的第三表面；

一栅极结构，配置于该第一表面上；

两掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该基底中，且位于该第二表面下；以及

两轻掺杂区，分别配置于该栅极结构与该些掺杂区之间的该基底中，其中各该些轻掺杂区包括：

一第一部分，位于该第二表面下；以及

一第二部分，连接该第一部分，且位于该第三表面下。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第三表面倾斜于该第一表面，且该第一表面的一延伸方向与该第三表面所形成的夹角介于45°至60°之间。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一表面平行于该第二表面。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一表面与该第二表面之间的高度差介于至之间，且该第一表面与该第二表面之间的水平间距介于至之间。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的轻掺杂区的该第一部分的长度介于至之间，且该第二部分的长度介于至之间。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其更包括一间隙壁，配置于该栅极结构的侧壁上且位于该些轻掺杂区上，该间隙壁的厚度介于至之间。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其更包括一应力层，配置于该基底上。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其更包括两袋状植入区，配置于该栅极结构下的该基底中，各该些袋状植入区分别相邻于各该些掺杂区，其中该些袋状植入区为局部袋状植入区、或复合袋状植入区。

9.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括：

提供一基底；

在该基底上形成一栅极结构；

移除部分该基底以形成一阶状上表面，其中该阶状上表面包括一第一表面、低于该第一表面的一第二表面、连接该第一表面与该第二表面的第三表面；

在该栅极结构两侧的该基底中形成两轻掺杂区，其中各该些轻掺杂区包括：

一第一部分，形成于该第二表面下；及

一第二部分，连接该第一部分，且形成于该第三表面下；以及

在该基底中形成两掺杂区，该些掺杂区位于该第二表面下且分别邻接该些轻掺杂区。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第三表面倾斜于该第一表面，且该第一表面的一延伸方向与该第三表面所形成的夹角介于45°至60°之间。

11.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第一表面平行于该第二表面。

12.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的第一表面与该第二表面之间的高度差介于至之间，且该第一表面与该第二表面之间的水平间距介于至之间。

13.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的轻掺杂区的该第一部分的长度介于至之间，且该第二部分的长度介于至之间。

14.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其更包括在该栅极结构的侧壁上与该些轻掺杂区上形成一第一间隙壁，该第一间隙壁的厚度介于至之间。

15.根据权利要求14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的形成该第一间隙壁的方法包括：

在该基底上形成一间隙壁材料层；

在该栅极结构的侧壁上形成一第二间隙壁，其中该第二间隙壁覆盖位于该些轻掺杂区上的部分该间隙壁材料层；

以该第二间隙壁为掩模移除部分该间隙壁材料层；以及

移除该第二间隙壁。

16.根据权利要求15所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的在移除部分该间隙壁材料层之后，以该第二间隙壁为掩模形成该些掺杂区。

17.根据权利要求15所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的在形成该第二间隙壁之前或在移除该第二间隙壁之后，形成该些轻掺杂区。