[发明专利]有机发光二极管显示器

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及一种能够通过准确提取驱动薄膜晶体管 (TFT)的阈值电压来提高显示质量的有机发光二极管(OLED)显示器。

背景技术

近来已经开发出其重量和尺寸均小于阴极射线管的各种平板显示 器。平板显示器的示例包括：液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、 等离子显示板(PDP)以及电致发光器件。

因为PDP具有简单的结构，并且可通过简单的工艺制造，所以PDP 被认为是在具有诸如重量轻和外形薄的特点的同时提供大尺寸屏幕的显 示设备。然而，PDP具有诸如发光效率低、亮度低以及功耗高的缺点。 使用TFT作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)LCD是应用最为广泛的平 板显示器。但是，由于TFT LCD不是一种自发射显示器，因此TFT LCD 具有较窄的视角和较低的响应速度。依据发射层的材料，电致发光器件 分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管(OLED)显示器。由于 OLED显示器是自发射显示器，因此OLED显示器具有诸如响应速度快、 发光效率高、亮度高以及视角宽的特点。

如图1所示，OLED显示器包括有机发光二极管。有机发光二极管 包括阳极与阴极之间的有机化合物层。有机化合物层包括：空穴注入层 HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL以及电子注入层 EIL。

当对阳极与阴极施加驱动电压时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿 过电子传输层ETL的电子移动到发射层EML，并且形成激子。因此，发 射层EML生成可见光。

在OLED显示器中，各包括上述有机发光二极管的像素以矩阵形式 排列，并且由扫描脉冲选择的像素的亮度受视频数据的灰度级控制。在 OLED显示器中，像素是通过选择性地导通用作有源元件的TFT来选择 的，并且因存储电容器的充电电压而保持在发光状态。

图2是相关技术OLED显示器中的像素的等效电路图。

如图2所示，相关技术有源矩阵型OLED显示器的各像素包括：有 机发光二极管OLED、数据线DL、与所述数据线DL相交叉的选通线GL、 开关TFT SW、驱动TFT DR以及存储电容器Cst。开关TFT SW和驱动 TFT DR中的每一个可被实施为N型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。

当响应于从选通线GL接收到的扫描脉冲而导通开关TFT SW时， 接通了开关TFT SW的源极与漏极之间的电流通路。在开关TFT SW的 导通时间内，将从数据线DL接收到的数据电压施加于驱动TFT DR的栅 极和存储电容器Cst。

驱动TFT DR根据该驱动TFT DR的栅极与源极之间的电压差来控 制在有机发光二极管OLED中流动的电流。

存储电容器Cst存储施加在该存储电容器Cst一侧的电极上的数据电 压，由此使得施加在驱动TFT DR的栅极上的数据电压在1帧时段期间 保持不变。

有机发光二极管OLED具有如图1中所示的结构。有机发光二极管 OLED连接在驱动TFT DR的源极与高电位驱动电压源VDD之间。

图2所示的像素的亮度与在该有机发光二极管OLED中流动的电流 成正比，如下述等式1中所示。在有机发光二极管OLED中流动的电流 可通过驱动TFT DR的栅极与源极之间的电压差和驱动TFT DR的阈值电 压来确定。

[等式1]

Ioled=k2(Vgs-Vth)2]]>

在上述等式1中，Ioled表示有机发光二极管OLED的驱动电流，k 是由驱动TFT DR的迁移率和寄生电容决定的常量，Vgs是驱动TFT DR 的栅电压Vg与源电压Vs之间的电压差，并且Vth是驱动TFT DR的阈 值电压。

如上述等式1所示，所述有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled 受到驱动TFT DR的阈值电压Vth的很大影响。