[发明专利]半导体器件的电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910146632.8 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599509A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 梁泽承 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种器件，其包括：
位于基板上的底电极；
层积于所述底电极上的介电层，所述介电层包含具有第一厚度的第一介 电层，具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介电层，厚度约等于所述第 一厚度的第三介电层；和
位于介电层上的顶电极。
2.如权利要求1所述的器件，其中所述第二厚度为约100±5
3.如权利要求1所述的器件，其中所述第一厚度为约30±2
4.如权利要求3所述的器件，其中所述第二厚度为约100±5
5.如权利要求4所述的器件，其中所述第一介电层和第三介电层包含 Al2O3。
6.如权利要求1所述的器件，其中所述第一介电层和第三介电层包含 Al2O3。
7.如权利要求4所述的器件，其中所述第二介电层包含HfO2、ZrO2和Ta2O5中的至少一种。
8.如权利要求4所述的器件，其中所述底电极、所述层积的介电层和所述 顶电极形成电容器，其中所述电容器的电容在约8fF/μm2至约10fF/μm2的范 围内。
9.一种方法，其包括：
在基板上形成底电极；
在所述底电极上形成具有第一厚度的第一介电层；
在所述第一介电层上形成具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介电 层；
在所述第二介电层上形成厚度约等于所述第一厚度的第三介电层；和
在所述第三介电层上形成顶电极。
10.如权利要求9所述的方法，其中通过原子层沉积工艺依次沉积第一介电 层至第三介电层。
11.如权利要求9所述的方法，其中通过利用三甲基铝和臭氧沉积Al2O3从 而形成所述第一介电层和第三介电层。
12.如权利要求9所述的方法，其中通过利用四[乙基甲基氨基]铪和臭氧沉 积HfO2从而形成所述第二介电层。
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