[发明专利]有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备

说明书

本申请要求2008年12月21日提交的韩国专利申请No.2008-0116444的 优先权，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，就像在这里全部列出一 样。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示器件，更具体地，涉及一种有机电致发 光显示(OELD)器件及其制造方法和制造设备。

背景技术

一直到近年来，显示器件一般都使用阴极射线管(CRT)。目前，作为 CRT的替代品，正在进行一些努力和研究来开发各种类型的平板显示器，如 液晶显示(LCD)器件、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器和电致发 光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，有机电致发光显示(OELD)器件 是自发光显示器件。OELD器件以低电压操作并具有较薄的外形。此外，OELD 器件具有较快的响应时间、较高的亮度和较宽的视角。

图1是图解根据现有技术的OELD器件的电路图。

参照图1，OELD器件包括彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数 据线DL。

在像素区域P中，形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储 电容器Cst和有机电致发光二极管E。开关薄膜晶体管Ts的栅极和源极分别 与栅极线GL和数据线DL连接。驱动薄膜晶体管Td的栅极与开关薄膜晶体 管Ts的漏极连接。存储电容器Cst的电极分别与驱动薄膜晶体管Td的栅极和 源极连接。驱动薄膜晶体管Td的源极与电源线PL连接。有机电致发光二极 管E的阳极与驱动薄膜晶体管Td的漏极连接，有机电致发光二极管E的阴极 接地。

当给栅极线GL施加ON栅极电压时，开关薄膜晶体管Ts导通，并给数 据线D施加数据电压。数据电压流过导通的开关薄膜晶体管Ts并施加到驱动 薄膜晶体管Td的栅极。根据施加给驱动薄膜晶体管Td的数据电压调整流过 驱动薄膜晶体管Td的电流，电流在有机电致发光二极管E上流动。在开关薄 膜晶体管Ts切断时，存储电容器Cst存储施加给驱动薄膜晶体管的数据电压。

开关和驱动薄膜晶体管Ts和Td以及有机电致发光二极管E通常形成在 OELD器件的同一基板上。然而，近年来已经研究和开发了在不同基板上形成 薄膜晶体管和有机电致发光二极管。这种类型的OELD器件称作双板型OELD 器件。

图2A是图解根据现有技术的双板型OELD器件的横截面图。

参照图2A，OELD器件1包括彼此面对的阵列基板和对向基板。OELD 器件1包括显示图像的显示区域AA和非显示区域NAA。

阵列基板包括形成在第一基板5上并彼此交叉以在显示区域AA中限定像 素区域P的栅极线(没有示出)和数据线DL。在第一基板5上形成有开关薄 膜晶体管(没有示出)和驱动薄膜晶体管Td。数据线DL形成在数据区域D 中，驱动薄膜晶体管Td形成在驱动区域Dr中。

驱动薄膜晶体管Td包括与栅极线连接的栅极25、半导体层42、源极32 和漏极34。在栅极25和栅极线上形成有栅极绝缘层45。半导体层42包括由 本征非晶硅形成的有源层40和由掺有杂质的非晶硅形成的欧姆接触层41。

钝化层55形成在驱动薄膜晶体管Td上并具有暴露漏极34的漏极接触孔 DCH。连接电极70通过漏极接触孔DCH与漏极34连接。

对向基板包括形成在第二基板10上的有机电致发光二极管E。有机电致 发光二极管E包括第一电极80、有机发光层82和第二电极84。

在第二基板10上形成有辅助电极60。第一电极80在辅助电极60上。在 第一电极80上形成有缓冲层62。在缓冲层62上形成有分隔体64和图案化的 衬垫料50。

分隔体64具有锥形，图案化的衬垫料50具有倒锥形。有机发光层82和 第二电极84形成在像素区域P中的第一电极80和图案化的衬垫料50上。

图案化的衬垫料50上的一部分第二电极80与连接电极70接触，从而第 二基板10上的有机电致发光二极管E与第一基板5上的驱动薄膜晶体管Td 电连接。

沿阵列基板和对向基板的外围区域形成有密封图案90，从而接合阵列基 板和对向基板。此外，密封图案90用于保持OELD器件的单元间隙，即阵列 基板与对向基板之间的间隙。阵列基板与对向基板之间的空间处于真空。

图2B是图解根据现有技术的另一OELD器件的横截面图。图2B的OELD 器件与图2A的类似，因此省略与图2A的部件类似的部件的解释。