[发明专利]含层间绝缘部分的低漏电电容器

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包含第一区和第二区的半导体衬底；

位于半导体衬底第二区内的绝缘区；

位于绝缘区上方的层间电介质；

位于第一区内的晶体管，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极；

位于绝缘区上方的第一导线和第二导线，其中，第一导线和第二导线基本上彼此平行，并且沿第一方向延伸；以及

在位于层间电介质的上方的金属层内的、沿第一方向延伸的第一金属线和第二金属线，第一金属线和第二金属线形成电容器的两个电容器电极，

其中，金属层是底层金属层，并且其中第一金属线和第二金属线分别与第一导线和第二导线基本垂直地重叠。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，第一导线与第二金属线连接，而第二导线与第一金属线连接。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，第一导线和第二导线是浮置的。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，第一导线和第二导线由与栅电极相同的材料形成，其中，第一导线和第二导线包含多晶硅或者，第一导线和第二导线是金属线，栅电极是金属栅电极，并且栅极电介质包含高-k电介质材料。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，第一导线、第二导线和栅电极含有先加工栅极结构；或者第一导线、第二导线和栅电极含有后加工栅极结构。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括侧壁间隔物，该侧壁间隔物位于栅电极的侧壁、第一导线和第二导线的侧壁上。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述晶体管是互补金属-氧化物-半导体晶体管或双极结型晶体管。

8.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底上方的层间电介质；

位于层间电介质上方的金属层；和

位于半导体衬底上方的电容器，所述电容器包括：

位于层间电介质内的第一层，该层包含第一电容器电极和第二电容器电极，每个电容器电极包含总线和连接到总线的指，其中，第一电容器电极和第二电容器电极的指彼此平行，并且交替排列；和

位于金属层内的第二层，该层包含彼此绝缘的第三电容器电极和第四电容器电极，每个第三和第四电容器电极包含总线和连接到总线的指组，其中第三电容器电极和第四电容器电极的指平行于第一电容器电极和第二电容器电极的指，并且交替排列，其中，第一电容器电极的指组中的每个指与第四电容器电极的指组中的一个指垂直重叠，第二电容器电极的指组中的每个指与第三电容器电极的指组中的一个指垂直重叠。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，进一步包括：

连接第一电容器电极和第三电容器电极的第一接触塞；和

连接第二电容器电极和第三电容器电极的第二接触塞。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，进一步包括：

晶体管，包括：

位于半导体衬底上方的栅极电介质；和

位于栅极电介质上方的栅电极，其中，所述栅电极由和第一电容器电极、第二电容器电极相同的材料形成。

11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，第三电容器电极和第四电容器电极分别连接到电源轨VDD和电源轨VSS，上述金属层是底层金属层，电容器在底层金属层中不包含任何指。