[发明专利]挠性基板自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法有效
申请号: | 200910146997.0 | 申请日: | 2009-06-09 |
公开(公告)号: | CN101924066A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 江良佑;程章林;张悠扬;陈东森 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/50;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挠性基板 载板上 脱离 方法 可挠式 电子 装置 制造 | ||
【技术领域】
本发明关于一种挠性基板自载板上脱离的方法,特别是关于一种通过表面处理后将挠性基板自载板上脱离的方法。
【背景技术】
平面显示器在朝大面积化发展的同时,具有更轻、更薄及可挠曲的特性将成为未来显示器主要追求的目标。因此,以挠性基板制作平面显示面板将成为未来显示器之发展趋势。
目前可挠式平面显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,是使用现有玻璃基板制备设备来制作,先将塑料基板通过粘合剂层黏贴在载板上,再于塑料基板上进行薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)等元件的制造步骤。此种方式虽能达到片对片(Sheet to Sheet)的制作流程,也达到一般的制备要求,但在完成薄膜晶体管等元件制作之后,必须面临的问题是如何顺利地将此具有薄膜晶体管阵列的塑料基板自载板取下。
【发明内容】
本发明之一实施方式提出一种挠性基板自载板上脱离的方法,包括:提供挠性基板,其中该挠性基板具有下表面;对该挠性基板的下表面进行表面处理,以形成具有防粘特性的下表面;通过粘合剂层将该挠性基板配置于载板上,其中该具有防粘特性的下表面朝向该载板;以及,对配置于该载板上的该挠性基板进行切割脱离。
本发明之另一实施方式亦提供一种可挠式电子装置的制造方法,包含:提供挠性基板,其中该挠性基板具有上表面及下表面;对该挠性基板的下表面进行表面处理,以形成具有防粘特性的区域,而未进行表面处理的部份定义为具有附着性的区域;通过粘合剂层将该挠性基板配置于载板上,其中该粘合剂层覆盖该挠性基板之该具有防粘特性的区域及该具有附着性的区域;形成电子元件于该挠性基板的上表面;以及,对位于该具有防粘特性的区域内的该挠性基板进行切割,得到可挠式电子装置。
以下通过数个实施例并配合所附图式,以更进一步说明本发明,但并非用来限制本发明之范围,本发明的范围应以所附权利要求为准。
【附图说明】
图1a-1d为一系列剖面图,显示本发明一实施方式所述挠性基板自载板上脱离的方法。
图2显示本发明一实施方式所述利用化学试剂进行挠性基板的表面处理。
图3a-3e为一系列剖面图,显示本发明另一实施方式所述挠性基板自载板上脱离的方法。
图4为图3c所示结构的仰视图。
图5显示本发明另一实施方式所述经表面处理的挠性基板,其包含经图形化的具有防粘特性的区域。
图6为剖面图,显示切割所得的挠性基板,其尺寸可小于该具有防粘特性的区域的尺寸。
图7a-7d为一系列剖面图,显示本发明一实施方式所述以旋转涂布方式将化学试剂与挠性基板反应,形成具有防粘特性的区域的制造流程。
图8a-8d为一系列剖面图,显示本发明一实施方式以压印方式将化学试剂与挠性基板反应,形成具有防粘特性的区域的制造流程。
图9a-9d为一系列剖面图,显示本发明一实施方式以辊涂方式将化学试剂与挠性基板反应,形成具有防粘特性的区域的制造流程。
图10为剖面图,显示本发明一实施方式以辊式凸版印刷技术将化学试剂与挠性基板反应,形成图案化具有防粘特性的区域。
图11a-11b为一系列剖面图,显示本发明一实施方式所述的可挠式电子装置的制造方法。
【主要元件符号说明】
10~挠性基板;
11~下表面;
12~化学试剂;
13~具有附着性的区域;
14~粘合剂层;
15~具防粘特性的下表面;
16~载板;
17~具有防粘特性的区域;
18~辊;
19~压合方向;
21~切割线;
22~切割后的挠性基板;
24~光阻层;
25~上表面;
26~模板;
28~辊;
29~涂布方向;
30~电子元件;以及
40~可挠式电子装置。
【实施方式】
以下,请配合图式,详细说明本发明实施例所述的挠性基板自载板上脱离的方法:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造