[发明专利]形成超高应力层的方法

权利要求书

1.一种形成超高应力层的方法，包含：

提供基材；

对该基材在高频能量下进行氨气预处理，其中该氨气预处理的氨气流量不小于1000sccm且该高频能量不低于800瓦；以及

在该经过氨气预处理的基材上形成该超高应力层。

2.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中对该经过氨气预处理的基材进行等离子体增强化学气相沉积，而得到该超高应力层。

3.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，在该氨气预处理之前还包含：

对该基材进行金属硅化物工艺。

4.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中该超高应力层具有不大于-3.5GPa的应力。

5.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中该氨气预处理的时间不小于25秒。

6.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中在超过400℃的温度下进行该氨气预处理。

7.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中使用辅助气体对该基材进行该氨气预处理。

8.如权利要求7所述的形成超高应力层的方法，其中该辅助气体选自由氮气、氩气、氢气与硅烷所组成的群组。

9.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中该超高应力层具有压缩应力。

10.如权利要求1所述的形成超高应力层的方法，其中该基材包含P型金属氧化物半导体。

11.一种形成超高应力层的方法，包含：

提供基材；

对该基材使用镍进行金属硅化物工艺；

对该基材在不大于400℃的温度下，以高频能量下进行氨气预处理，其中该氨气预处理的氨气流量不小于1000sccm且该高频能量不低于800瓦；以及

在该经过氨气预处理的基材上形成该超高应力层。

12.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该超高应力层具有压缩应力。

13.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该超高应力层具有小于-3.5GPa的应力。

14.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该氨气预处理的时间不小于25秒。

15.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该基材包含临界尺寸小于65纳米的元件。

16.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中使用辅助气体对该基材进行该氨气预处理。

17.如权利要求16所述的形成超高应力层的方法，其中该辅助气体选自由氮气、氩气、氢气与硅烷所组成的群组。

18.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该基材包含P型金属氧化物半导体。

19.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中该超高应力层包含一种氮化物。

20.如权利要求11所述的形成超高应力层的方法，其中对该经过氨气预处理的基材进行等离子体增强化学气相沉积，而得到该超高应力层。