[发明专利]具有量子点结构的光学器件有效
| 申请号： | 200910147531.2 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101609960A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·勒拉尔热;邦雅曼·鲁索;阿兰·阿卡尔;弗雷德里克·波默罗;弗朗西斯·普安特;罗曼·布勒诺 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡特朗讯 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/50;H01L31/101;G02F1/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 法国巴黎市波*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 量子 结构 光学 器件 | ||
1.一种制造具有在相应的势垒层之间设置的多个量子点层的光 学器件的方法，其特征在于包括：在势垒层上生长分隔层的步骤，其 中，所述分隔层用于在相邻的量子点层之间提供间隔并且适于实质上 阻挡由所述势垒层感应的应变场。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所生长的分隔层具有带实 质上平滑表面的生长面。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述分隔层上生长后续 势垒层，其中，所述后续势垒层具有带平滑表面的生长面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，InP材料的分隔层位于后续 量子点层之间，并且具有大约5nm以下的厚度。
5.一种具有在相应的势垒层之间设置的多个量子点层的光学器 件，其特征在于所述光学器件还包括：势垒层上的分隔层，其中，所 述分隔层用于在相邻的量子点层之间提供间隔并且适于实质上阻挡由 势垒层感应的应变场。
6.根据权利要求5所述的光学器件，其中，所述光学器件可以具 有两个或更多个量子点层以及三个或更多个势垒层。
7.根据权利要求5所述的光学器件，其中，所述分隔层具有实质 上平滑的表面。
8.根据权利要求5所述的光学器件，其中，在所述分隔层上生长 后续势垒层，其中，所述后续势垒层具有实质上平滑的表面。
9.根据权利要求5所述的光学器件，其中，所述分隔层由二元材 料制成。
10.根据权利要求9所述的光学器件，其中，所述二元材料是InP。
11.根据权利要求5所述的光学器件，其中，所述分隔层具有大 约5nm以下的厚度。
12.根据权利要求5所述的光学器件，其中，两个后续量子点层 之间的间隔大约是5nm。
13.根据权利要求5所述的光学器件，其中，InP材料的分隔层位 于后续量子点层之间，适于允许在量子点层之间通过隧穿效应进行耦 合。
14.一种用于执行光信号处理的单元，包括根据权利要求5所述 的光学器件。
15.根据权利要求14所述的单元，所述单元是时钟恢复单元。
16.根据权利要求14所述的单元，所述单元是光放大单元。
17.根据权利要求14所述的单元，所述单元是波长转换单元。
18.根据权利要求14所述的单元，所述单元是信号处理单元。
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