[发明专利]成像设备无效
申请号: | 200910148188.3 | 申请日: | 2006-06-20 |
公开(公告)号: | CN101587904A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 西泽宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H04N9/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 卢亚静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 设备 | ||
1.一种成像设备,包括:
半导体成像装置,具有彩色滤光片和多个光电二极管;以及
成像光学系统,用于将光从目标引导至所述半导体成像装置,
其中位于所述多个光电二极管的至少一部分的入射表面的对立侧上的所述半导体成像装置具有用于反射穿过所述光电二极管的光的反射层。
2.如权利要求1所述的成像设备,其中所述反射层的尺寸或反射率是依据穿过设于光电二极管入射表面侧上的彩色滤光片并到达所述入射表面的光的波长来确定。
3.如权利要求1或2所述的成像设备,其中所述反射层由银白色金属形成。
4.如权利要求1或2所述的成像设备,其中所述反射层是由半导体形成。
5.如权利要求1至4任意一项所述的成像设备,包括置于所述半导体成像装置和所述成像光学系统之间的光学滤光片,
其中所述反射层的尺寸或反射率是依据进入与所述光电二极管相对应光学滤光片上的区域的光的入射角来确定。
6.如权利要求1至5任意一项所述的成像设备,包括用于容放所述半导体成像装置的三维基板,所述三维基板不透射可见光和近红外光。
7.如权利要求1至6任意一项所述的成像设备,其中所述半导体成像装置的像素节距为2微米以下。
8.一种包括如权利要求1至7任意一项所述的成像设备的便携电话设备。
9.一种半导体成像装置,包括:
多个光电二极管,用于将入射光转换成电信号;
彩色滤光片,设于光电二极管的入射表面侧上;以及
反射层,布置于所述多个光电二极管的至少一部分的入射表面的对立侧上,所述反射层具有依据从彩色滤光片入射到所述光电二极管的透射光的波长的尺寸或反射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的