[发明专利]供体基板和显示器制造方法无效

专利信息
申请号: 200910148635.5 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101615658A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 肥后智之;松尾圭介 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L21/82;H01L27/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 供体 显示器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种在形成发光层时使用的供体基板,所述发光层是通过如下步骤形成的:形成含有发光材料的转印层,使所述转印层和被转印基板相互面对且将辐射线照射至所述转印层,并且使所述转印层升华或气化从而将所述转印层转印至所述被转印基板上,

所述供体基板包括:

基体;

布置在所述基体上的光热转换层;以及

布置在所述基体与所述光热转换层之间的热干涉层,所述热干涉层包括折射系数彼此不同的两个以上层。

2.如权利要求1所述的供体基板,其中,所述热干涉层中的两个以上层的折射系数和厚度被调整为使得在所述辐射线的发光带的100nm以上连续波长区域中的反射率是0.1以下。

3.如权利要求2所述的供体基板,其中,所述热干涉层包括从所述基体侧依次布置的如下各层:

厚度为50nm以上且250nm以下并由SiO2、SiN、SiON或Al2O3构成的第一干涉层;以及

厚度为15nm以上且80nm以下并由a-Si构成的第二干涉层。

4.如权利要求1所述的供体基板,其中,所述光热转换层和所述热干涉层被布置为与所述被转印基板上要形成所述发光层的区域相对应。

5.如权利要求4所述的供体基板,其包括:

形成在所述光热转换层和所述基体上的隔热层;以及

形成在所述隔热层上的防污染层。

6.如权利要求5所述的供体基板,其中,在所述隔热层上的未设置所述光热转换层和所述热干涉层的区域中形成有凸起结构,并且

所述防污染层包括形成在所述凸起结构的顶面上的第一部分和形成在所述隔热层的顶面上的第二部分,且所述第一部分和所述第二部分彼此分开。

7.一种显示器制造方法,在所述显示器中,在驱动基板上形成有有机发光器件,所述有机发光器件包括依次布置的第一电极、具有与所述第一电极的发光区域相对应的开口部的绝缘层、包含发光层的多层有机层以及第二电极,

所述显示器制造方法包括如下步骤:

在所述驱动基板上形成所述第一电极、所述绝缘层和所述多层有机层的一部分有机层,由此形成被转印基板;

在供体基板中形成含有发光材料的转印层,使所述转印层和所述被转印基板相互面对且照射辐射线,并且使所述转印层升华或气化从而将所述转印层转印至所述被转印基板上,由此形成发光层;以及

形成所述多层有机层的剩余部分和所述第二电极,

其中所述供体基板包括基体、布置在所述基体上的光热转换层以及布置在所述基体与所述光热转换层之间的热干涉层,所述热干涉层包括折射系数彼此不同的两个以上层。

8.如权利要求7所述的显示器制造方法,其中,所述热干涉层中的两个以上层的折射系数和厚度被调整为使得在所述辐射线的发光带的100nm以上连续波长区域中的反射率是0.1以下。

9.如权利要求8所述的显示器制造方法,其中,所述热干涉层包括从所述基体侧依次布置的如下各层:

厚度为50nm以上且250nm并由SiO2、SiN、SiON或Al2O3构成的第一干涉层;以及

厚度为15nm以上且80nm以下并由a-Si构成的第二干涉层。

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