[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，其在半导体衬底上具备：第一存储单元阵列区域；第二存储单元阵列区域；以及由上述第一存储单元阵列区域和上述第二存储单元阵列区域所夹的供电区域，且上述第一存储单元阵列区域、上述第二存储单元阵列区域以及上述供电区域并列于第一方向上；还具有：(a)第一控制栅电极，沿着上述第一方向从上述第一存储单元阵列区域延伸到上述供电区域，并且在上述供电区域内具有第一终端部；(b)第一存储器栅电极，经由第一绝缘膜而形成在上述第一控制栅电极的侧壁上且在上述第一方向上延伸；(c)第二控制栅电极，沿着上述第一方向从上述第二存储单元阵列区域延伸到上述供电区域，并且在上述供电区域内具有第二终端部；以及(d)第二存储器栅电极，经由第二绝缘膜而形成在上述第二控制栅电极的侧壁上且在上述第一方向上延伸；其中，上述第一控制栅电极和上述第二控制栅电极被配置成一直线状，并且上述第一终端部和上述第二终端部被隔开而配置；

其特征在于，还具有：

(e)供电布线，一端配置于上述第一终端部上且另一端配置于上述第二终端部上；和

(f)与上述供电布线电连接的插头，其中，

上述供电布线是对形成有上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极的第一导体膜进行加工而形成的，且上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极经由上述供电布线电连接，并经由上述供电布线来对上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极施加规定电压。

2.根据权利要求1所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，在上述第一终端部和上述第二终端部之间形成有虚拟部。

3.根据权利要求2所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，上述供电布线被配置在上述虚拟部上。

4.根据权利要求3所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，上述虚拟部的高度与上述第一控制栅电极和上述第二控制栅电极的高度相同。

5.根据权利要求4所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，上述虚拟部是对形成有上述第一控制栅电极和上述第二控制栅电极的第二导体膜进行加工而形成的。

6.根据权利要求3所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，经由上述供电布线而在上述虚拟部上形成有上述插头。

7.根据权利要求2所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，在将与上述第一方向垂直的方向作为第二方向时，上述虚拟部的上述第二方向的宽度大于上述第一终端部的上述第二方向的宽度和上述第二终端部的上述第二方向的宽度。

8.根据权利要求1所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，在将与上述第一方向垂直的方向作为第二方向时，上述供电布线的中央部中的上述第二方向的宽度大于在上述供电布线的端部中的上述第二方向的宽度。

9.根据权利要求1所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，上述第一存储器栅电极和上述第二存储器栅电极具有侧壁形状。

10.根据权利要求1所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，在上述第一存储单元阵列区域形成的第一存储单元具有：在上述半导体衬底上形成的第一栅极绝缘膜；在上述第一栅极绝缘膜上形成的上述第一控制栅电极；在上述第一控制栅电极的侧壁形成的上述第一存储器栅电极；在上述第一控制栅电极和上述第一存储器栅电极之间以及在上述第一存储器栅电极和上述半导体衬底之间形成的上述第一绝缘膜；在上述半导体衬底内形成的第一源极区域；以及在上述半导体衬底内形成的第一漏极区域，在上述第二存储单元阵列区域形成的第二存储单元具有：在上述半导体衬底上形成的第二栅极绝缘膜；在上述第二栅极绝缘膜上形成的上述第二控制栅电极；在上述第二控制栅电极的侧壁形成的上述第二存储器栅电极；在上述第二控制栅电极和上述第二存储器栅电极之间以及在上述第二存储器栅电极和上述半导体衬底之间形成的上述第二绝缘膜；在上述半导体衬底内形成的第二源极区域；以及在上述半导体衬底内形成的第二漏极区域。

11.根据权利要求10所记载的非易失性半导体存储器件，其特征在于，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜由层叠膜形成，该层叠膜由第一电位阻挡膜、在上述第一电位阻挡膜上形成的电荷积蓄膜、以及在上述电荷积蓄膜上形成的第二电位阻挡膜构成。