[发明专利]负极以及二次电池有效
申请号: | 200910149034.6 | 申请日: | 2009-06-12 |
公开(公告)号: | CN101604762A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 广濑贵一;川濑贤一;野口和则;藤井敬之;川田雅辉 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01M10/00 | 分类号: | H01M10/00;H01M10/36;H01M10/40;H01M4/02;H01M4/62 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极 以及 二次 电池 | ||
1.一种二次电池,包括正极、负极以及电解质,其中,
所述负极包括:
负极集电体;
负极活性物质层,形成在所述负极集电体上,并且包 括包含硅(Si)作为元素的负极活性物质;以及
涂层,形成在所述负极活性物质层上,并且具有三维 网络的整体结构,
其中,所述负极活性物质是多个颗粒,并且包括具有 沿所述负极集电体表面的方向的长轴的扁平颗粒,
其中,所述涂层包含绝缘材料并且整体具有绝缘性, 在所述涂层中,所述绝缘材料在三维方向上生长以形成具 有多个孔的网络结构,
扁平状是指该形状具有沿所述负极集电体的表面的 方向的长轴以及沿穿过所述负极集电体的表面的方向的 短轴,
其中,所述绝缘材料是选自由铁(Fe)、钴(Co)、 镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、 硅、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、锆(Zr)、钼(Mo)、 锡(Sn)以及钨(W)组成的组中的一种或多种氧化物。
2.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述绝缘材料是硅的 氧化物。
3.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述涂层和所述负极 活性物质层通过气体火焰喷涂法形成。
4.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质层 包括具有多层结构的部分。
5.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质层 在其中包括空隙。
6.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质是 硅的单质、硅的合金以及硅的化合物中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质包 含氧(O)作为元素,并且所述负极活性物质中的氧含量在包 括端值的1.5原子%~40原子%的范围内。
8.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质包 含一种或多种选自由铁、钴、镍、铜、锰、锌、锗、铝、锆、 银、锡、锑(Sb)、钨、铬、钛以及钼组成的组中的金属元素 作为元素。
9.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极活性物质包 括具有金属元素作为元素的部分,并且所述部分为合金状态或 者为化合物状态。
10.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述负极集电体的表 面的十点平均粗糙度Rz在包括端值的1.5μm~30μm的范围 内。
11.根据权利要求1所述的二次电池,其中,所述电解质包含溶剂, 所述溶剂包含由化学式1表示的具有卤素作为元素的链状碳 酸酯和由化学式2表示的具有卤素作为元素的环状碳酸酯、由 化学式3~化学式5表示的具有不饱和键的环状碳酸酯、磺内 酯以及酸酐中的一种或多种:
化学式1
其中,R11~R16是氢基、卤素基、烷基或卤代烷基,并 且R11~R16中的至少一个是卤素基或卤代烷基;
化学式2
其中,R17~R20是氢基、卤素基、烷基或卤代烷基,并 且R17~R20中的至少一个是卤素基或卤代烷基;
化学式3
其中,R21和R22是氢基或烷基;
化学式4
其中,R23~R26是氢基、烷基、乙烯基或芳基,并且 R23~R26中的至少一个是乙烯基或芳基;
化学式5
其中,R27是亚烷基。
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