[发明专利]显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

薄膜晶体管的源电极和漏电极，形成在基板上；

像素电极，形成在所述基板上，并与所述源电极或所述漏电极接触；

绝缘的分隔壁层，形成在所述基板上，并具有延伸至所述源电极和所述漏电极之间的第一开口以及形成于所述像素电极上并延伸至所述像素电极的第二开口；

沟道区半导体层，形成在所述第一开口的底部上；

绝缘膜，形成在所述分隔壁层上，以覆盖包括所述沟道区半导体层的所述第一开口；以及

定向膜，从所述绝缘膜上方覆盖所述第一开口并从所述像素电极上方覆盖所述第二开口。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中

在所述分隔壁层的上部上形成由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成的半导体层。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述沟道区半导体层由有机材料制成。

4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

面向所述基板的相对基板和设置在所述基板与所述相对基板之间的液晶层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述薄膜晶体管是底栅型晶体管，并且

在所述基板与所述沟道区半导体层之间按从所述基板开始的顺序形成栅电极和栅极绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述像素电极是透射显示电极，并且

在所述分隔壁层的上层上，反射像素电极通过所述绝缘膜电连接至所述透射显示电极。

7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

第三开口，形成在所述分隔壁层之中，并延伸至所述源电极或所述漏电极；以及

连接孔，延伸至所述第三开口的内侧中的所述源电极或所述漏电极，至少形成在所述绝缘膜中，其中

所述反射像素电极通过在所述连接孔的底部露出的所述源电极或所述漏电极连接至所述透射显示电极。

8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

第三开口，延伸至所述源电极或所述漏电极，形成在所述分隔壁层中；以及

半导体层，放置在所述第三开口的底部上，并由与所述沟道区半导体层的材料相同的材料制成，其中

在所述绝缘膜和放置在所述第三开口的底部上的所述半导体层中形成连接孔，其中，所述连接孔延伸至在所述第三开的内侧中的所述源电极或所述漏电极，同时与所述分隔壁层上的所述半导体层绝缘，以及

所述反射像素电极通过在所述连接孔的底部露出的所述源电极或所述漏电极连接至所述透射显示电极。

9.根据权利要求6所述所述的显示装置，其中，

参照所述分隔壁层的高度，调节所述反射像素电极相对于所述透射显示电极的位置高度的位置高度。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述薄膜晶体管是顶栅型晶体管；并且

在所述沟道区半导体层上通过栅极绝缘膜形成栅电极。

11.一种显示装置制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成薄膜晶体管的源电极和漏电极，同时形成连接至所述源电极或漏电极的像素电极；

在所述基板上形成绝缘的分隔壁层，其中，所述分隔壁层具有第一开口和第二开口，其中所述第一开口延伸至所述源电极与所述漏电极之间，所述第二开口位于所述像素电极上并延伸至所述像素电极；

在所述第一开口的底部上形成由半导体层构成的沟道区半导体层；

在所述分隔壁层上形成绝缘膜，以覆盖包括所述沟道区半导体层的所述第一开口；以及

形成定向膜，以从所述绝缘膜上方覆盖所述第一开口并从所述像素电极上方覆盖所述第二开口。

12.根据权利要求11所述的显示装置制造方法，其中

所述形成沟道区半导体层的步骤包括：从所述分隔壁层上方沉积半导体层，以在所述第一开口的底部上形成由所述半导体层形成的沟道区半导体层，从而与所述分隔壁层的上部分离。