[发明专利]处理装置

说明书

技术区域

本发明涉及在处理容器内向例如FPD(平板显示器)用的玻璃基板等的被处理体供给处理气体，并通过该处理气体，对上述被处理体进行规定的处理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示装置)的制造工序中，具有对玻璃基板上形成的铝(Al)膜进行蚀刻处理的工序。对于进行该工序的蚀刻处理装置的一个例子根据图12进行简单的说明，图中1是真空腔室，在该真空腔室1的内部，设置有用于载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下，简称为基板S)的载置台11，并且以与该载置台11相对的方式设置有成为上部电极的处理气体供给部12。而且，从处理气体供给部12向真空腔室1的内部供给例如氯(Cl₂)系气体构成的蚀刻气体，经过排气流路13，用没有图示的真空泵对真空腔室1内进行真空抽吸，另一方面，通过从高频电源14向上述载置台11施加高频电力，在基板S的上方空间形成蚀刻气体的等离子体，由此对基板S进行蚀刻处理。

但是，Al膜的蚀刻中，供给速率，即因为蚀刻气体的供给量和蚀刻量成比例，所以通过负荷效果使基板S周边部的蚀刻速度变得极快，产生蚀刻量变多的现象。也就是说，在图13中，在用符号15表示的基板S的周边部，从作为蚀刻剂的Cl自由基来看，和用符号16表示的相同面积的中央区域相比蚀刻面积大约是一半，因此如果用与供给中央区域16的流量相同的流量供给蚀刻气体，那么与中央区域16相比，周边部15的蚀刻量大约是其的2倍。

因此，如图12和图14(a)所示，采用通过设置包围基板S的周围的整流部件17，用整流部件17遮住基板S的周边部附近的蚀刻气体流，在基板S的周围形成气体积存区域的对策。通过这种方法，使该区域的蚀刻气体的流速降低，可以在基板面内提高蚀刻速度的均一性。

但是，如果设置这样的整流部件17，则当整流部件17的上端例如比从设置于真空腔室1的侧壁部的搬入搬出口10搬入的基板S的搬送高度高时，搬送中的基板S和整流部件17互相干涉。因此，例如如图14(b)所示，使整流部件17自由升降，通过使整流部件17从载置台11升起而形成的间隙搬入搬出基板S。

这里，整流部件17构成为，，例如将由陶瓷制的板材构成的4块整流壁171组合，形成框架，该框架以包围基板S的形式被载置在载置台11上。在这4块中的例如相对的2块整流壁171的侧面，以向载置台11的外部伸出的方式设置有突出部172，在各个突出部172的下表面连接有支撑整流部件17的支撑棒181。而且，通过升降机构18上下移动各个支撑棒181，可以升降整个整流部件17。

另一方面，近几年来，FPD基板S的大型化日益推进，例如开发出了处理一边边长在2米以上的基板S的蚀刻处理装置。这样的蚀刻处理装置中，对于包围基板S的整流部件17也需要其是一个边的边长在2米以上的大型部件，特别是构成整流部件17的整流壁171，为了达到抑制对真空腔室1中形成的等离子体的影响的目的，其由上述的陶瓷制成，因此各整流壁171的重量化会明显。

这里，如图15(a)所示，形成到上缘的高度“h”例如为50mm-150mm程度的细长的四边形(角形)形状的整流壁171，支撑其两端从载置台11上升的情况下，其长度“L”例如是2米以上，重量化的整流壁171由于其自重会出现中央部弯曲的情况。如果整流壁171弯曲，例如如图15(b)所示，整流壁171的中央部会向下方鼓出，妨碍基板S的搬送；或者如图15(c)所示，在载置台11上载置整流部件17时，从整流部件17弯曲的中央部接触载置台11，形成所谓的“单边接触”的状态，重复这个动作，整流部件17和载置台11可能会在局部磨损而产生灰尘，或破损。

这一点，例如现有的整流部件17，如图14(a)等所示，通过以突出部172支撑其4个角的下缘部，使加载在整流壁171上的负荷平均化，来避免特定的整流壁171上加有过大的自重而使弯曲变大的情况。但是近年的基板S的大型化，通过分散负荷的对应来减轻弯曲是不够的，需要更进一步的针对重量化的对策。

为了减轻伴随重量化的弯曲，虽然可以考虑将如图15(a)所示的整流部件17的高度“h”加大来提高相对重力方向的整流部件17的刚性的方法，但是，由于伴随整流部件17的进一步的重量化，使升降机构18的负担变大，会需要更新驱动系统。而且，在维护蚀刻处理装置等情况下，现状是可以通过例如手工作业来进行整流部件17的拆卸、安装，但是，伴随着重量化有可能需要起重机等机械，维护性就会恶化。