[发明专利]处理装置无效
申请号: | 200910149488.3 | 申请日: | 2009-06-25 |
公开(公告)号: | CN101615574A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 南雅人;佐佐木芳彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3213;C23F4/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种处理装置,其特征在于,包括:
设置在处理容器的内部,用于载置被处理体的载置台;
用于从所述载置台的上方侧供给对被处理体进行处理的处理气体的处理气体供给单元;
用于排出所述处理容器内的气氛的气体排出部;和
以包围所述载置台上的被处理体的方式设置的整流部件,在被处理体载置在所述载置台上时,所述整流部件位于所述被处理体与所述气体排出部之间,
所述整流部件的至少处理气氛侧的表面部由多孔体构成。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述整流部件由比所述多孔体强度大的支承部件支承。
3.如权利要求2所述的处理装置,其特征在于:
所述整流部件包括由多孔体构成的整流壁。
4.如权利要求3所述的处理装置,其特征在于:
所述支承部件与该整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。
5.如权利要求3或4所述的处理装置,其特征在于:
所述整流壁在长度方向上被分割,相互邻接的分割部分之间由比多孔体强度大的连结部件连结,
所述连结部件与该整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。
6.如权利要求5所述的处理装置,其特征在于:
所述连结部件跨越相互邻接的分割部分之间,嵌入该分割部分的内部。
7.如权利要求1或2所述的处理装置,其特征在于:
所述整流部件由比多孔体强度大的主体部分,和配置在所述主体部分的处理气氛侧的多孔体构成。
8.如权利要求7所述的处理装置,其特征在于:
所述多孔体构成为从所述主体部分装卸自如。
9.如权利要求1~4中任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述多孔体由多孔陶瓷构成。
10.如权利要求2~4中任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述支承部件由陶瓷构成。
11.如权利要求5所述的处理装置,其特征在于:
所述连结部件由陶瓷构成。
12.如权利要求7所述的处理装置,其特征在于:
所述主体部分由陶瓷构成。
13.如权利要求2~4中任一项所述的处理装置,其特征在于:
包括使所述支承部件通过升降轴升降的升降机构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910149488.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造