[发明专利]二元和三元金属硫属化物材料及其制造和使用方法

权利要求书

1.在衬底上制备金属硫属化物合金膜的方法，其包括以下步骤：

(a)将衬底与选自甲硅烷基碲和甲硅烷基硒的甲硅烷基-硫族元素接触； 和

(b)将衬底与至少一种具有通式MX_n的金属化合物接触；

其中，M选自Ge、Sb、In、Sn、Ga、Bi、Ag、Cu、Zr、Hf、Hg、Cd、 Zn和贵金属；X是选自OR(烷氧基)、F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)、NR₂(氨基)、 CN(氰基)、OCN(氰酸根)、SCN(硫氰酸根)、二酮配基、羧基基团及其混合 物的亲核基团；并且n=1-5；

其中所述方法选自原子层沉积(ALD)方法和化学气相沉积(CVD) 方法。

2.权利要求1所述的方法，其中，甲硅烷基碲选自具有通式(R¹R²R³Si) ₂Te的二甲硅烷基碲、具有通式(R¹R²R³Si)TeR⁴的烷基甲硅烷基碲，和其 混合物，其中，R¹、R²、R³和R⁴独立地是氢，1-10个碳原子的具有或不具 有双键的直链、支链或环状形式的烷基，或芳基；并且，

所述甲硅烷基硒选自具有通式(R¹R²R³Si)₂Se的二甲硅烷基硒、具有 通式(R¹R²R³Si)SeR⁴的烷基甲硅烷基硒，和其混合物；其中，R¹、R²、 R³和R⁴独立地是氢，1-10个碳原子的具有或不具有双键的直链、支链或环 状形式的烷基，或芳基。

3.权利要求2所述的方法，其中，所述甲硅烷基碲选自双(三甲基甲硅 烷基)碲、双(二甲基甲硅烷基)碲、双(三乙基甲硅烷基)碲、双(二乙基甲硅烷 基)碲、双(苯基二甲基甲硅烷基)碲、双(叔丁基二甲基甲硅烷基)碲、二甲基 甲硅烷基甲基碲、二甲基甲硅烷基苯基碲、二甲基甲硅烷基-正丁基碲、二 甲基甲硅烷基-叔丁基碲、三甲基甲硅烷基甲基碲、三甲基甲硅烷基苯基碲、 三甲基甲硅烷基-正丁基碲、和三甲基甲硅烷基-叔丁基碲；并且，

所述甲硅烷基硒选自双(三甲基甲硅烷基)硒、双(二甲基甲硅烷基)硒、 双(三乙基甲硅烷基)硒、双(二乙基甲硅烷基)硒、双(苯基二甲基甲硅烷基) 硒、双(叔丁基二甲基甲硅烷基)硒、二甲基甲硅烷基甲基硒、二甲基甲硅烷 基苯基硒、二甲基甲硅烷基-正丁基硒、二甲基甲硅烷基-叔丁基硒、三甲基 甲硅烷基甲基硒、三甲基甲硅烷基苯基硒、三甲基甲硅烷基-正丁基硒和三 甲基甲硅烷基-叔丁基硒。

4.权利要求1所述的方法，其中，MX_n选自：

(1)(R¹O)₄Ge或(R¹O)_nGeH_4-n，其中，R¹是1-10个碳原子的直链、 支链、环状的烷基，或芳基；并且n=1-3；

(2)(R¹R²N)₄Ge或(R¹R²N)_4-nGeH_n，其中，R¹和R²独立地是1-10 个碳原子的直链、支链、环状的烷基、或芳基；并且n=1-3；和

(3)GeX₄、GeX₂、或R_nGeX_4-n，其中，X是F、Cl或Br，R是氢或1-10 个碳原子的直链、支链、环状的烷基，或芳基；并且n=1-3。