[发明专利]氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200910149974.5 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101593805A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱 军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层；
形成在所述第一n型氮化物半导体层上的发光层；
形成在所述发光层上的p型氮化物半导体层；
形成在所述p型氮化物半导体层上的p型氮化物半导体隧道结层；
形成在所述p型氮化物半导体隧道结层上的n型氮化物半导体隧道结层；以及
形成在所述n型氮化物半导体隧道结层上的第二n型氮化物半导体层；以及
其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝；
其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个的铝含量为不小于1原子百分比且不大于5原子百分比。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述p型氮化物半导体隧道结层包括铝和铟，并且铟含量高于铝含量。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层包括铝和铟，并且铟含量高于铝含量。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述p型氮化物半导体隧道结层掺杂有掺杂密度不小于1×1019/cm3的p型杂质。
5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层掺杂有掺杂密度不小于1×1019/cm3的n型杂质。
6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层具有不大于10nm的厚度。
7.一种氮化物半导体发光器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的第一n型氮化物半导体层；
形成在所述第一n型氮化物半导体层上的发光层，所述发光层发射具有430nm到490nm的波长的蓝光；
形成在所述发光层上的p型氮化物半导体层；
形成在所述p型氮化物半导体层上的p型氮化物半导体隧道结层；
形成在所述p型氮化物半导体隧道结层上的n型氮化物半导体隧道结层；以及
形成在所述n型氮化物半导体隧道结层上的第二n型氮化物半导体层；以及
其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，并且所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个包括铝，并且
其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层中的至少一个的铝含量为不小于1原子百分比且不大于5原子百分比。
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其中所述p型氮化物半导体隧道结层包括铝和铟，并且铟含量高于铝含量。
9.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层包括铝和铟，并且铟含量高于铝含量。
10.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其中所述p型氮化物半导体隧道结层掺杂有掺杂密度不小于1×1019/cm3的p型杂质。
11.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层掺杂有掺杂密度不小于1×1019/cm3的n型杂质。
12.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其中所述n型氮化物半导体隧道结层具有不大于10nm的厚度。
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