[发明专利]无相位失真的电压电平转换器有效

专利信息
申请号: 200910150014.0 申请日: 2009-06-18
公开(公告)号: CN101741374A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 陈纬达 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185;H03K5/003
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 马铁良;马佑平
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 相位 失真 电压 电平 转换器
【权利要求书】:

1.一种电压电平转换电路,包括:

电压电平变换电路,响应第一输入电压信号和第二输入电压信号并输 出第三和第四电压信号,其中所述第一输入电压信号和所述第二输入电压 信号处于第一电压电平并且彼此互补,以及其中所述第三和所述第四电压 信号处于第二电压电平;和

单位间隔恢复电路,响应所述第三和第四电压信号并以所述第二电压 电平输出第五电压信号,其中所述第五电压信号的周期与所述第一输入电 压信号的周期基本相同,

其中,所述第五电压信号包括上升边沿和下降边沿,其中所述第五电 压信号的上升边沿由所述第三电压信号的上升边沿触发并与其基本对齐, 以及其中所述第五电压信号的下降边沿由所述第四电压信号的上升边沿触 发并与其基本对齐,

其中所述第一输入电压信号的上升边沿与所述第二输入电压信号的下 降边沿对齐,所述第一输入电压信号的下降边沿与所述第二输入电压信号 的上升边沿对齐,

其中所述单位间隔恢复电路包括与第三p沟道MOSFET串联的第三n 沟道MOSFET,其中所述第三p沟道MOSFET的源极耦接到所述第三电压 信号,其中所述第三n沟道和第三p沟道MOSFET的栅极由所述第四电压 信号驱动,以及其中所述第五电压信号从与所述第三n沟道MOSFET和第 三p沟道MOSFET的漏极耦接的节点导出。

2.根据权利要求1所述的电压电平转换电路,其中所述电压电平变换 电路包括第一差分放大器,以及其中所述第一和第二输入电压信号分别耦 接到所述差分放大器的第一和第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的栅极。

3.根据权利要求2所述的电压电平转换电路,其中所述第三电压信号 从第一节点导出,所述第一节点耦接到所述第一n沟道MOSFET的漏极和 第一p沟道MOSFET的漏极,以及其中所述第四电压信号从第二节点导出, 所述第二节点耦接到所述第二n沟道MOSFET的漏极和第二p沟道 MOSFET的漏极。

4.一种电压电平转换电路,包括:

电压电平变换电路,响应彼此互补的输入电压信号,生成第一电压信 号和第二电压信号,所述第一电压信号和第二电压信号具有与所述输入电 压信号不同的电压电平;

单位间隔恢复电路,响应所述第一电压信号和第二电压信号并输出具 有与所述输入电压信号的周期基本相同的周期的第一输出电压信号;

其中所述第一电压信号的第一电压状态和所述第二电压信号的第二电 压状态将所述第一输出信号设定为所述第一电压状态,

其中所述第一电压状态是高电压状态以及所述第二电压状态是低电压 状态,以及其中所述第二电压信号的上升边沿触发所述第一输出信号从高 电压状态变到低电压状态;或者,所述第一电压状态是低电压状态和所述 第二电压状态是高电压状态,以及其中所述第一电压信号的上升边沿触发 所述第一输出信号从低电压状态变到高电压状态,

其中所述彼此互补的输入电压信号之一的上升边沿与所述彼此互补的 输入电压信号中的另一个的下降边沿对齐,所述彼此互补的输入电压信号 之一的下降边沿与所述彼此互补的输入电压信号中的另一个的上升边沿对 齐,

其中所述单位间隔恢复电路包括与第一p沟道MOSFET串联的第一n 沟道MOSFET,其中所述第一p沟道MOSFET的源极耦接到所述第一电压 信号,其中所述第一n沟道和第一p沟道MOSFET的栅极由所述第二电压 信号驱动,以及其中所述第一输出电压信号从与所述第一n沟道MOSFET 和第一p沟道MOSFET的漏极耦接的节点导出。

5.根据权利要求4所述的电压电平转换电路,其中当所述第一和第二 电压信号处于相同电压状态时,所述第一输出信号保持前一电压状态。

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