[发明专利]氧化铟锡立体电极及制法及制备装置及太阳能电池制法

权利要求书

1.一种氧化铟锡立体电极，包括：

一导电层；以及

复数个导电纳米柱，形成于该导电层的表面；

其中，该导电纳米柱为氧化铟锡纳米柱，且该氧化铟锡纳米柱的长度可调变范围为10nm至1500nm，该氧化铟锡纳米柱的直径可调变范围为10nm至120nm，该氧化铟锡纳米柱形成于该导电层表面的密度可调变范围为每平方公分1x10⁶至5x10¹⁰个。

2.如权利要求1所述的氧化铟锡立体电极，其中，该氧化铟锡立体电极是应用于有机太阳能电池，且该氧化铟锡纳米柱的长度可调变范围为50nm至200nm，该氧化铟锡纳米柱的直径可调变范围为30nm至50nm。

3.如权利要求1所述的氧化铟锡立体电极，其中，该氧化铟锡纳米柱形成于该导电层表面的密度可调变范围为每平方公分1x10⁸至1x10¹⁰个。

4.如权利要求1所述的氧化铟锡立体电极，其中，该导电层为透明导电层、金属层、导电陶瓷层、半导体导电层或高分子导电层。

5.如权利要求4所述的氧化铟锡立体电极，其中，该透明导电层为氧化铟锡层、氧化铟锌、氧化锌铝、氧化锌镓或氧化锌。

6.一种氧化铟锡立体电极的制备方法，包括：

(A)提供一具有一反应腔、一蒸镀源、以及一基板支撑座的蒸镀机，其中，该蒸镀源配置于该反应腔内的底部，且该基板支撑座配置于该反应腔内的顶部；

(B)将一表面附有一导电层的基板配载于该蒸镀机的基板支撑座，并使该基板的法线方向与该反应腔的底部形成0至90度的夹角；以及

(C)对于该表面附有导电层的基板进行斜向蒸镀，以得到表面形成有氧化铟锡立体电极的基板。

7.如权利要求6项所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，步骤C包括：于斜向蒸镀时通入氧气以及一惰性气体至该蒸镀机的反应腔中。

8.如权利要求7所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该惰性气体为氮气。

9.如权利要求7所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该氧气与惰性气体的通入流量比例为0.5或以下。

10.如权利要求6所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该步骤B中，该基板的法线方向与该反应腔的底部所形成的夹角为5至85度。

11.如权利要求10所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该步骤B中，该基板的法线方向与该反应腔的底部所形成的夹角为60至75度。

12.如权利要求6所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该步骤C的斜向蒸镀是于10^-6至10^-3torr的压力范围之间进行。

13.如权利要求6所述的氧化铟锡立体电极的制备方法，其中，该步骤C的斜向蒸镀系于100℃至450℃的温度范围之间进行。

14.一种蒸镀机，用于蒸镀一表面附有导电材料的基板，其包括：

一反应腔；

一蒸镀单元，配置于该反应腔内的底部；以及

至少一基板支撑座，配置于该反应腔内的顶部，且当该基板支撑座配载有该基板时，可调整使该基板的法线方向与该反应腔的底部形成0至90度的夹角。

15.一种有机太阳能电池，其包括：

一氧化铟锡立体电极；

一金属电极；以及

一主动层，形成于该氧化铟锡立体电极以及该金属电极之间；

其中，该氧化铟锡立体电极包括一导电层；以及复数个形成于该导电层上的氧化铟锡纳米柱，且该氧化铟锡纳米柱的长度可调变范围为50nm至200nm，该氧化铟锡纳米柱的直径可调变范围为30nm至50nm。

16.如权利要求15所述的有机太阳能电池，其中，包括一空穴传导层，其系形成于该氧化铟锡(ITO)立体电极与该主动层之间。

17.如权利要求16所述的有机太阳能电池，其中，该空穴传导层的材料为聚(3，4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸酯。