[发明专利]含硼靶材及其制作方法、薄膜、磁记录媒体无效
| 申请号： | 200910150476.2 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101928851A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴明伟;廖浩嘉 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C23C14/14;C23C14/34;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含硼靶材 及其 制作方法 薄膜 记录 媒体 | ||
【权利要求书】：
1.一种含硼靶材的制作方法，其包括：
提供钴铬(Co-Cr)预合金粉；
混合钴铬预合金粉以及原料粉末后，将其预成型以形成初胚，其中所述原料粉末包含硼粉和氧化物粉；
烧结所述初胚以获得该含硼靶材。
2.根据权利要求1所述的含硼靶材的制作方法，其中所述氧化物粉末为二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、三氧化二钛(Ti2O3)、氧化铬(Cr2O3)或氧化钽(Ta2O5)粉。
3.根据权利要求1所述的含硼靶材的制作方法，其中所述原料粉末还包括铂(Pt)粉。
4.根据权利要求2所述的含硼靶材的制作方法，其中所述原料粉末还包括铂(Pt)粉。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的含硼靶材的制作方法，其中烧结所述初胚的温度为950～1180℃，压力为300～425Bar。
6.一种含硼靶材，其包含钴、铬、硼和氧化物，且其硼化物相的尺寸小于10μm。
7.根据权利要求6所述的含硼靶材，其中该含硼靶材还包括铂。
8.根据权利要求6所述的含硼靶材，其中该含硼靶材由钴、铬、硼和氧化物组成，其硼化物相的尺寸小于5μm。
9.一种薄膜，其通过溅镀根据权利要求1至8中任一项所述的含硼靶材的制作方法所制成的含硼靶材而形成。
10.一种磁记录媒体，其利用权利要求9所述的薄膜制成。
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