[发明专利]用于MOS栅器件的表面几何结构

权利要求书

1.一种MOS栅器件，包括：

不连续贴片的阵列，其中，所述阵列中的每一贴片包含源区、体区及栅接触区；

源和体金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的源和体区电接触；及

栅金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的栅接触区电接触。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述阵列中的每一贴片包含四个栅接触区，而且其中，对于不与阵列周边处的贴片相邻的任何贴片，栅金属化层与至少两个栅接触区电接触。

3.如权利要求2所述的器件，其中，栅金属化层与阵列中的至少一些贴片的两个栅接触区电接触。

4.如权利要求1所述的器件，其中，阵列中的所述多个贴片的每一贴片通过一间隙彼此分隔开，而且其中，源和体金属化层延伸穿过所述间隙。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述栅金属化层包含多个不连续金属带。

6.如权利要求5所述的器件，其中，所述多个不连续金属带中的每一个都被所述源和体金属化层包围，但在空间上是分隔开的。

7.如权利要求1所述的器件，还包含源极焊盘。

8.如权利要求1所述的器件，还包含栅极焊盘。

9.如权利要求1所述的器件，其中，多个贴片基本上相同。

10.如权利要求1所述的器件，其中，多个贴片中的每一贴片基本上为矩形。

11.如权利要求1所述的器件，其中，多个贴片中的每一贴片基本上为正方形。

12.如权利要求1所述的器件，其中，每一贴片基本上为矩形，而且其中，每一贴片的每一角包含设于其上面的栅接触区。

13.如权利要求1所述的器件，其中，每一贴片基本上为正方形，而且其中，每一贴片的每一角包含设于其上面的栅接触区。

14.如权利要求1所述的器件，其中，所述阵列还包含：栅金属化层及源和体金属化层，而且其中，栅金属化层及源和体金属化层彼此间电绝缘。

15.如权利要求1所述的器件，其中，所述阵列中的至少一些贴片包含其中设有沟道的外延层，而且其中，所述沟道中设有部分掺杂多晶硅。

16.如权利要求1所述的器件，其中，所述阵列中的至少一个贴片包含栅极结构。

17.如权利要求1所述的器件，其中，部分栅极结构为电浮动。

18.一种MOS栅器件，包含：

不连续贴片的阵列，所述阵列包括：第一多个贴片，沿阵列的外部排列，及第二多个贴片，排列在阵列内部，其中，所述第一和第二多个贴片的每一贴片具有源区、体区和栅接触区，而且其中，所述第二多个贴片的每一贴片具有源区、体区和栅接触区；

源和体金属化层，它与第二多个贴片的源和体区电接触；及

终端金属化层，它与所述第一多个贴片的每一贴片上的至少一个源区、至少一个体区和至少一个栅接触区电接触。

19.如权利要求18所述的器件，其中，终端金属化层与所述第一多个贴片的每一贴片上的每一源区、每一体区和至少一个栅接触区电接触。

20.如权利要求18所述的器件，还包含栅金属化层，它与所述第二多个贴片的至少两个贴片的栅接触区电接触。

21.如权利要求18所述的器件，其中，所述阵列包含至少4个贴片。

22.如权利要求18所述的器件，其中，所述阵列包含至少6个贴片。

23.如权利要求18所述的器件，其中，所述阵列包含至少8个贴片。

24.如权利要求18所述的器件，其中，还包含栅极焊盘。

25.如权利要求18所述的器件，其中，还包含源和体焊盘。