[发明专利]对CIGS工艺进行直列式过程控制的方法和装置

权利要求书

1.一种用于控制铜铟镓硒CIGS太阳能电池的成分的方法，所述 CIGS太阳能电池包括在包括铜、铟、镓、硒的蒸发源(11-13，26)的 加工室(7)中通过共蒸沉积工艺制造的沉积层，所述方法包括测量在所 述沉积层中的各元素数量的步骤，其特征在于，

在基底(21)的宽度方向上成行的设置蒸发源组(11、12、13)，在各 行中测量在所述沉积层中的各元素数量，并响应相应元素的沉积量的 变化而调节各行中的蒸发流量，以便提供具有均匀的元素成分的CIGS 膜；

其中存在两个行，每个行包括一组蒸发源(11-13)，其特征在于， 在基底流过加工室(7)的路径的外侧的每一侧设置两行蒸发源。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量各行中沉积 的CIGS膜的总厚度，并调节来自各蒸发源(11-13)中至少一个蒸发源 的流量，以便提供具有均匀厚度的CIGS膜。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其特征在于，在 所述加工室内进行所述测量。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其特征在于，在 所述加工室外进行所述测量。

5.一种包括CIGS加工室(7)的、用于制造铜铟镓硒(CIGS)太阳能 电池的直列式连续基底流水生产装置，在所述加工室中，设有钼的后 接触层(3)的基底(21)连续移动通过所述CIGS加工室中的沉积区(DZ)， 所述加工室包括多个相互分隔的基底加热器(10)，铜、铟、镓、硒的 蒸发源(11-13，26)，以及源加热器(14，15，16)，

其特征在于，

设置在基底(21)的宽度方向上的成行的蒸发源组(11，12，13)，至 少一个用于在各行处检测在所述CIGS中各种沉积元素数量的成分检 测设备(20)，以及连接到所述至少一个成分检测设备的控制器(17)，所 述控制器适于响应在所述CIGS中所检测到的相应元素的沉积量变化 而调节各行中的蒸发流量，以便提供具有均匀的元素成分的CIGS层。

6.根据权利要求5所述的直列式连续基底流水生产装置，其特 征在于，所述至少一个成分检测装置(20)适于在各行处测量沉积的 CIGS膜的组分的沉积量，且所述控制器(17)适于调节各行中的蒸发流 量，以便提供具有均匀厚度的CIGS膜。

7.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其中，从所述基底的传送方向看去，在所述加工室的宽度方向上设有 两行蒸发源，其特征在于，在基底流过加工室(7)的路径的外侧的每一 侧设置所述两行蒸发源。

8.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，在所述加工室内设置所述至少一个成分检测设备(20)。

9.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，在所述加工室外设置所述至少一个成分检测设备(20)。

10.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，在所述基底(21)下方的层面上设置所述蒸发源(11-13)。

11.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，所述至少一个成分检测设备(20)为直接测量所述CIGS 层的成分的设备。

12.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，所述至少一个成分检测设备(20)为X射线荧光XRF设备 和/或能量色散X射线光谱仪EDX设备，所述至少一个成分检测设备 (20)适于测量各元素的总沉积量，从而也适于测量所述CIGS层的 厚度。

13.根据权利要求5或6所述的直列式连续基底流水生产装置， 其特征在于，所述控制器(17)适于接收作为输入信号的、表示各元素 的总沉积量的信号，并响应所述表示各元素的总沉积量的信号而调节 来自蒸发源(11，12，13)的流量，以便提供具有均匀厚度的CIGS膜。