[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基电极；

半导体芯片，其隔着第一接合材料设置于所述基电极，且具有整流功 能；

引线电极，其经由第二接合材料连接在所述半导体芯片的上侧，并与 引线相连；以及

第一应力缓冲材料，其降低所述第一接合材料的应力，

在所述第一接合材料的所述基电极侧的面上设置有所述基电极和所 述第一应力缓冲材料分别直接接触的区域，

所述第一接合材料和所述第二接合材料使用焊料，

所述第一应力缓冲材料的线膨胀系数在3×10^-6/℃以上，且在12×10^-6/℃以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述基电极的所述半导体芯片装载侧的面上设置凸部，该凸部与所 述第一接合材料的所述基电极侧的面直接接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述基电极的凸部形成圆柱形状，所述第一应力缓冲材料具有覆盖所 述凸部的周围而配置为同心圆状的环状形状，所述凸部的外周面和所述第 一应力缓冲材料的内周面直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基电极的所述半导体芯片装载侧的面上具有多个柱状的凸部，按 照包围所述多个凸部的外周面的方式配置所述第一应力缓冲材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一接合材料下面的面内，在所述基电极的外侧配置所述第一 应力缓冲材料。

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基电极，其在周边部具有壁部；

半导体芯片，其经由第一接合材料设置在所述基电极上，且具有整流 功能；

引线电极，其经由第二接合材料连接在所述半导体芯片的上侧，并与 引线相连；

第一应力缓冲材料，其降低所述第一接合材料的应力；以及

第二应力缓冲材料，其降低所述第二接合材料的应力，

在所述第一接合材料的所述基电极侧的面上设置所述基电极和所述 第一应力缓冲材料分别直接接触的区域，

在所述第二接合材料的所述引线电极侧的面上设置所述引线电极和 所述第二应力缓冲材料分别直接接触的区域，

所述第一接合材料和所述第二接合材料使用焊料，

所述第一应力缓冲材料和所述第二应力缓冲材料的线膨胀系数在 3×10^-6/℃以上，且在12×10^-6/℃以下。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一应力缓冲材料和所述第二应力缓冲材料的线膨胀系数在 3×10^-6/℃以上且在8×10^-6/℃以下。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一应力缓冲材料以及所述第二应力缓冲材料是Mo、W或者Fe -Ni合金。

9.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一应力缓冲材料和所述第二应力缓冲材料是由Mo、W、Fe- Ni合金中的任意一种和Cu构成的复合材料。