[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 200910151056.6 | 申请日: | 2009-07-09 |
公开(公告)号: | CN101626029A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 李大宇;权度县;金大宇 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法,更具 体地,涉及一种能够易于形成有机发光层的OLED显示器。
背景技术
近年来,常规的显示器已被便携式薄平板显示器所取代。由于有机或无 机发光显示器提供宽视角和良好的对比度并具有快速的响应速度,所以有机 或无机发光显示器的自发光显示器比其它平板显示器具有优势。因此,有机 或无机发光显示器作为下一代显示器已引起人们的关注。特别是包括由有机 材料形成的发光层的OLED显示器在提供彩色图像的同时,相比无机发光显 示器具有更好的亮度、更低的驱动电压以及更快的响应时间。
OLED显示器包括具有与有机发光层相连的阴极和阳极的有机发光装 置。当在阴极和阳极之间施加电压时,通过与阴极和阳极连接的有机发光层 得到可见光。由于电荷通过阴极和阳极供给有机发光层,所以有机发光层与 阴极或阳极之间的接触影响OLED显示装置的光学性能。
发明内容
本发明的实施方式涉及一种OLED显示器及其制造方法。
实施方式的特征在于提供一种能够使有机发光层易于形成的OLED显 示器。
实施方式的另一特征在于提供一种通过防止有机发光层和第一电极之 间出现任何分离空间而使图像质量优异的OLED显示器。
上述的至少一个和其它特征及优点可通过提供一种OLED显示器来实 现,所述OLED显示器包括基板、在基板上的至少一个薄膜晶体管(TFT)、 覆盖至少一个TFT并具有通孔和槽的绝缘层、在绝缘层上通过通孔与至少 一个TFT电连接的第一电极、在第一电极和槽上的具有使第一电极暴露的 开口的像素界定层、通过开口与第一电极电连接的包括有机发光层的中间 层、以及在中间层上的第二电极。
因此,实施方式的又一个特征在于提供一种一部分像素界定层可填充槽 的OLED显示器。
槽可位于两个相邻TFT之间。
多个槽可位于两个相邻TFT之间。
槽可具有约0.5μm~约1.5μm的深度。
槽可在绝缘层上水平延伸。
上述的至少一个和其它特征及优点也可通过提供一种制造OLED显示 器的方法来实现,所述方法包括制备基板;在基板上形成至少一个TFT;形 成绝缘层以覆盖至少一个TFT;在绝缘层中形成通孔和槽;在绝缘层上形成 第一电极并通过通孔与至少一个TFT电连接;在第一电极上形成像素界定 层,所述像素界定层具有使第一电极暴露的开口;通过开口形成与第一电极 电连接的中间层,所述中间层包括有机发光层;以及在中间层上形成第二电 极。
中间层可用热转印法形成。
通孔和槽可使用单个掩模同时形成图案。
一部分像素界定层可填充槽。
槽可在两个相邻TFT之间形成。
多个槽可在两个相邻TFT之间形成。
槽可在绝缘层上水平延伸。
槽可具有约0.5μm~约1.5μm的深度。
附图说明
通过参照附图详细说明示例性实施方式,本发明的以上和其它特征和优 点对本领域普通技术人员来说将变得更显而易见,其中:
图1示出了根据实施方式的OLED显示器的横截面示意图;和
图2~9示出了根据实施方式制造OLED显示器的方法中的各阶段的横 截面示意图。
具体实施方式
2008年7月11日在韩国知识产权局申请的题目为“Organic Light Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same”的韩国专 利申请10-2008-0067829,其全部内容通过引用合并于此。
以下将参照附图更完整地说明示例性实施方式,但它们可以以不同方式 实施,并不应该解释为限于在此所述的实施方式。更具体地,提供这些实施 方式,使得本公开充分而完整,并将本发明的范围完全地传递给本领域技术 人员。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的