[发明专利]高频半导体装置有效
| 申请号： | 200910151101.8 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101783326A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 川岛庆一;细见刚;平山敏和 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 装置 | ||
1.一种高频半导体装置，其特征在于，具备：
封装件，其具有空腔；
半导体芯片，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极， 所述半导体芯片配置在所述空腔底面；
栅极框，配置在所述空腔底面；
漏极框，配置在所述空腔底面；
源极框，配置在所述空腔底面；
栅极金属线，连接所述栅极电极和所述栅极框；
漏极金属线，连接所述漏极电极和所述漏极框；以及
源极金属线，连接所述源极电极和所述源极框，
所述半导体芯片，以与将所述半导体芯片配置在所述空腔底面的中 央部的情况相比使所述栅极金属线和所述漏极金属线的长度变长的方 式，从所述中央部离开规定的偏移而配置。
2.根据权利要求1所述的高频半导体装置，其特征在于，所述半导 体芯片从所述空腔底面的中央部离开100μm以上而配置。
3.根据权利要求1所述的高频半导体装置，其特征在于，
所述栅极金属线，以与连接在作为所述栅极框的金属线可连接区域 的栅极焊盘的中央部的情况相比所述栅极金属线的长度变长的方式，连 接在从所述栅极焊盘的中央部离开的场所，
所述漏极金属线，以与连接在作为所述漏极框的金属线可连接区域 的漏极焊盘的中央部的情况相比所述漏极金属线的长度变长的方式，连 接在从所述漏极焊盘的中央部离开的场所。
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