[发明专利]半导体元件及其制法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；

多个具有金属栅极的晶体管，形成于该第一区域；以及

至少一电容，形成于该第二区域，该电容包括：

一具有至少一停止结构的上电极，其中该停止结构与该上电极为不 同材料；

一下电极；以及

一介电层，形成于该上电极与该下电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电容的面积至少为0.5μm× 0.5μm。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该停止结构包括一柱状结构， 该柱状结构具有矩形、正方形、椭圆形或圆形结构。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该停止结构包括一介电材料。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该介电材料包括氮化硅或氧化 硅。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该停止结构至少覆盖5％的第 二区域中的电容图案密度。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该停止结构的尺寸大体上不少 于第一区域中所述晶体管的最小金属栅极的尺寸。

8.一种半导体元件的制法，包括以下步骤：

提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；

于该第一区域中形成多个具有金属栅极的晶体管；以及

于该第二区域中形成至少一电容，其中形成该电容的步骤包括：

形成一至少具有停止结构的上电极，其中该停止结构与该上电极为 不同材料；

形成一下电极；以及

形成一介电层介于该上电极与该下电极之间。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制法，其中该停止结构与形成于第 一区域的所述晶体管的栅极结构为相同工艺。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制法，其中形成所述晶体管的工 艺包括后栅极工艺。

11.如权利要求8所述的半导体元件的制法，其中该停止结构包括氮化 硅停止结构或氧化硅停止结构。

12.如权利要求8所述的半导体元件的制法，其中所述晶体管包括多个 间隙壁形成于所述金属栅极的侧壁上，其中该停止结构与所述多个间隙壁大 体上由相同材料所组成。

13.一种半导体元件，包括

一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；

多个具有高介电常数介电层与金属栅极结构的晶体管，其中所述晶体管 形成于该第一区域中；

一电容阵列，形成于该第二区域中；以及

一停止结构，形成于该第二区域中，且邻近于该电容阵列，其中该停止 结构与形成于第一区域的所述晶体管的金属栅极为相同工艺。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该停止结构包括一连续的环 形结构环绕于该电容阵列，其中该连续的环形结构具有矩形、正方形、椭圆 形或圆形结构。

15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该停止结构包括多个柱状结 构环绕该电容阵列，其中所述多个柱状结构各自具有矩形、正方形、椭圆形 或圆形结构。