[发明专利]一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法

权利要求书

1.一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其至少包含：

一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及

一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，该第一电压位准与该第二电压位准相异，且该第一电压位准低于该电源电压，其中当该P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，该第一电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的一基体，而当该P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，该第二电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的该基体。

2.根据权利要求1所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的电压控制电路连接至该电源。

3.根据权利要求1所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的第二电压位准等于该电源电压。

4.根据权利要求1所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的第二电压位准高于该电源电压。

5.根据权利要求1所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的第一电压位准为该电源电压的二分之一。

6.根据权利要求1所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的第二电压位准为该电源电压的一又二分之

7.一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其至少包含：

一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及

一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，该第一电压位准与该第二电压位准相异，且该第一电压位准低于该电源电压，该第二电压位准等于该电源电压，其中当该P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，该第一电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的一基体，当该P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，该第二电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的该基体，且该电压控制电路连接至该电源。

8.根据权利要求7所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于其中所述的第一电压位准为该电源电压的二分之一。

9.一种抑制负偏压高温不稳定性的方法，用于P通道金属氧化物半导体晶体管，其特征在于该方法包括以下步骤：

提供一电源至一P通道金属氧化物半导体晶体管的一源极；

当该P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，对该P通道金属氧化物半导体晶体管的一基体施加一第一电压位准，其中该第一电压位准低于该电源电压；以及

当该P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，对该P通道金属氧化物半导体晶体管的该基体施加一第二电压位准，其中该第二电压位准与该第一电压位准相异。

10.根据权利要求9所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的方法，其特征在于其中所述的第二电压位准等于或高于该电源电压位准。

11.根据权利要求9所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的方法，其特征在于其中所述的第一电压位准等于该电源电压位准的二分之一。

12.根据权利要求9所述的一种抑制负偏压高温不稳定性的方法，其特征在于其中所述的第二电压位准等于该电源电压位准的一又二分之一。