[发明专利]形成集成半导体设备及其结构的方法

权利要求书

1.一种集成半导体滤波器，包括：

第一端子；

第二端子；

第三端子；

耦合在所述第一和所述第三端子之间的第一二极管；

第二二极管；

与所述第二二极管串联耦合的第一齐纳二极管，其中所述第二二 极管和所述第一齐纳二极管的串联组合与所述第一二极管并联耦合， 并且其中所述第一二极管、所述第二二极管和所述第一齐纳二极管形 成具有第一电容值的第一电容器；

耦合在所述第二端子和所述第三端子之间的第三二极管；

第四二极管；

与所述第四二极管串联耦合的第二齐纳二极管，其中所述第四二 极管和所述第二齐纳二极管的串联组合与所述第三二极管并联耦合， 并且其中所述第三二极管、所述第四二极管和所述第二齐纳二极管形 成具有第二电容值的第二电容器；

与所述第三二极管并联耦合的第五二极管，其中所述第五二极管 形成具有第三电容值的第三电容器，其中所述第三二极管、所述第四 二极管、所述第五二极管和所述第二齐纳二极管形成集成半导体滤波 器的第一分支电容器，所述第一分支电容器在不大于一兆赫兹的频率 下具有约2.5-7.5皮法的第四电容值；和

与至少所述集成半导体滤波器的所述第二端子耦合的电感器。

2.根据权利要求1所述的集成半导体滤波器，进一步包括第一 导电类型半导体基板；

形成在所述半导体基板的表面上的具有第二导电类型的第一掺 杂区；

形成在所述第一掺杂区的表面上的具有所述第一导电类型的第 二掺杂区，其中所述第二掺杂区和所述第一掺杂区形成所述第四二极 管；

形成在所述半导体基板的表面上并且位于所述第二掺杂区下方 的具有所述第二导电类型的第三掺杂区，其中所述第三掺杂区和所述 半导体基板的第一部分形成所述第二齐纳二极管；

形成在所述第一掺杂区的表面上并且与所述第二掺杂区横向间 隔的具有所述第二导电类型的第四掺杂区，其中在所述半导体基板和 位于所述第四掺杂区下方的所述第一掺杂区的第一部分之间的界面 形成所述第三二极管；和

在所述半导体基板的表面上形成的具有所述第二导电类型的第 五掺杂区，其中所述第五掺杂区和所述半导体基板的第二部分形成用 作第三齐纳二极管的所述第五二极管。

3.根据权利要求2所述的集成半导体滤波器，进一步包括从所 述第一掺杂区的表面通过所述第四掺杂区朝向所述半导体基板延伸 的多个导体，其中所述多个导体与所述半导体基板的表面分隔第一距 离。

4.根据权利要求2所述的集成半导体滤波器，进一步包括从所 述第一掺杂区的表面延伸进所述半导体基板的第一隔离区，其中所述 第一隔离区的外围环绕所述半导体基板和所述第一掺杂区的第二部 分之间的界面，其中所述第一掺杂区的所述第二部分不位于所述第 一、第二、第三、第四或第五掺杂区下方，并且其中所述半导体基板 和所述第一掺杂区的所述第二部分之间的界面形成与所述第一二极 管并联耦合的第六二极管。

5.一种形成集成半导体设备的方法，包括：

提供第一导电类型的半导体基板；

在所述半导体基板的表面上形成具有第二导电类型的第一掺杂 区；

在所述第一掺杂区的表面上形成具有所述第一导电类型的第二 掺杂区，其中所述第二掺杂区和所述第一掺杂区形成第一二极管；

形成在所述半导体基板的表面上并位于所述第二掺杂区下方的 具有所述第二导电类型的第三掺杂区，其中所述第三掺杂区和所述半 导体基板的第一部分形成与所述第一二极管串联耦合的第一齐纳二 极管；

形成在所述第一掺杂区的表面上并与所述第二掺杂区横向相隔 的具有所述第二导电类型的第四掺杂区，其中在所述半导体基板和位 于所述第四掺杂区下方的所述第一掺杂区的第一部分之间的界面形 成与所述第一二极管和所述第一齐纳二极管的串联组合并联耦合的 第二二极管；并且

在所述半导体基板的表面上形成具有所述第二导电类型的第五 掺杂区，其中所述第五掺杂区和所述半导体基板的第二部分形成与所 述第二二极管并联耦合的第三二极管。