[发明专利]填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用

权利要求书

1.一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料硅块，其特征在于：该原料硅块的纯 度在99.99％-99.9999999％；且该原料硅块的抗压参数为0.1-50Mpa；该填装性能良好的原料 硅块由硅粉经过等静压方法处理而得；等静工作压力参数为100-800MPa；

该填装性能良好的原料硅块采用下列等静压方法而得，步骤如下：

(1)取软质包装材料做成容器；

(2)将硅粉或硅小块放入软质包装材料的容器中；加盖密封；

(3)将上一步骤中密封好的装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器置于液体介质中；

(4)压力机对放置了装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器的液体介质加压，加压范围为 10-800MPa；加压时间为5-60分钟，保持温度在25-1400℃；

(5)停止加压，取出容器中的物料即得到填装性能良好的原料硅块。

2.一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料硅块，其特征在于：该原料硅块的纯 度在99.99％-99.9999999％；且该原料硅块的抗压参数为0.1-50Mpa；该填装性能良好的原料 硅块由硅粉经过等静压方法处理而得；等静工作压力参数为100-800MPa；

该填装性能良好的原料硅块采用下列等静压方法而得，步骤如下：

(1)取软质包装材料做成容器；

(2)将硅粉或硅小块放入软质包装材料的容器中；加盖密封；

(3)将上一步骤中密封好的装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器置于液体介质中；

(4)压力机对放置了装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器的液体介质加压，加压范围为 10-500MPa；加压时间为5-60分钟，保持温度在0-500℃；

(5)停止加压，取出容器中的物料即得到填装性能良好的原料硅块；

(6)将填装性能良好的原料硅块放入密封袋中保存待用；

(7)打开密封袋，将填装性能良好的原料硅块放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生产。

3.一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料硅块，其特征在于：该原料硅块的纯 度在99.99％-99.9999999％；且该原料硅块的抗压参数为0.1-50Mpa；该填装性能良好的原料 硅块由硅粉经过等静压方法处理而得；等静工作压力参数为100-800MPa；

(1)取软质包装材料做成容器；

(2)将来源于西门子法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法生产线的新鲜硅粉或硅小块取下 好，在2小时内放入软质包装材料的容器中；加盖密封；

(3)将上一步骤中密封好的装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器置于液体介质中；

(4)压力机对放置了装有硅粉或硅小块的软质包装材料的容器的液体介质加压，加压150MPa； 加压时间为20分钟，在室温下进行等静压；

(5)停止加压，取出容器中的物料即得到填装性能良好的原料硅块；

(6)将填装性能良好的原料硅块放入密封袋中保存待用；

(7)打开密封袋，将填装性能良好的原料硅块放入单晶炉或多晶炉中，用于硅晶体生产。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料 硅块，其特征在于：该填装性能良好的原料硅块由西门子法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还 原法或其它化学气相沉积法中沉积的硅粉经过等静压方法处理而得。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种应用在单晶炉或多晶炉中的填装性能良好的原料 硅块，其特征在于：将来源于西门子法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法的新鲜硅粉在144 小时内送入等静设备中完成等静压。