[发明专利]用于嵌入安装的感应式接近传感器及其设计方法有效
申请号: | 200910152290.0 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN101630021A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | M·德于;P·海姆利希尔;C·雷姆;P·韦尼耶 | 申请(专利权)人: | 奥普托塞斯股份有限公司 |
主分类号: | G01V3/10 | 分类号: | G01V3/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘志强 |
地址: | 瑞士吉*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 嵌入 安装 感应 接近 传感器 及其 设计 方法 | ||
1.一种用于嵌入在金属安装板(2)中的感应式接近传感器(1), 其包括:
壳体,其具有由合成材料制成的前壁(16),所述前壁(16)在所 述壳体的前端形成感测面(4);
振荡器(10),其包括带芯体(9)的传感器线圈(7),所述芯体 (9)由相对磁导率大于1的材料制成,所述材料通常为铁素体,所述 芯体(9)布置在所述前壁(6)后面的所述壳体内,从而所述芯体(9) 的开口侧朝向所述感测面(4),以使所述传感器线圈的磁场指向所述 感测面(4)前面的目标(6);
中空圆柱形金属元件,其垂直于所述感测面(4)布置并包围所述 芯体(9);以及
测量电路(11),用于检测由于涡流导致的所述振荡器(10)的衰 减;
其特征在于,所述芯体(9)由金属层(18,18″)径向地包围, 所述金属层的电阻率小于15μΩ·cm并且厚度小于40μm,所述测量电 路(11)设置成所述衰减一旦超过预定参考阈值就改变所述传感器电 路的输出信号,所述预定参考阈值对应于10%或更小的衰减。
2.根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述金属层 (18,18″)由非铁磁金属制成。
3.根据权利要求1或2所述的接近传感器,其特征在于,所述金 属层(18,18″)布置在所述金属元件和所述芯体之间。
4.根据权利要求1或2所述的接近传感器,其特征在于,所述金 属元件为金属套筒(3),并且所述芯体(9)设置在所述金属套筒(3) 内。
5.根据权利要求4所述的接近传感器,其特征在于,所述前壁为 密封帽(15)的底部,所述密封帽(15)的圆周壁(17)延伸到所述 套筒(3′,3″)和所述芯体(9)之间的间隙,所述金属层(18″)设 置在所述圆周壁(17)的内表面上。
6.根据权利要求1或2所述的接近传感器,其特征在于,所述金 属层(18,18″)为金属涂层。
7.根据权利要求1或2所述的接近传感器,其特征在于,所述金 属层(18,18″)的厚度小于所述金属层的材料在所述振荡器(10)的 工作频率下的趋肤深度的一半。
8.根据权利要求1或2所述的接近传感器,其特征在于,所述金 属层(18,18″)的厚度小于所述金属层的材料在所述振荡器(10)的 工作频率下的趋肤深度的30%。
9.根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述金属层 (18,18″)的厚度被构造成:针对低碳钢目标(6)而言,使所述涡流 引起的所述衰减对应于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目标(6) 之间的距离在所述传感器的嵌入状态下比在所述传感器的非嵌入状态 下的距离最多相差30%。
10.根据权利要求1所述的接近传感器,其特征在于,所述金属 层(18,18″)的厚度被构造成:针对低碳钢目标(6)而言,使所述 涡流引起的所述衰减对应于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目 标(6)之间的距离在所述传感器的嵌入状态下比在所述传感器的非嵌 入状态下的距离最多相差20%。
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