[发明专利]发光设备及其制造方法

权利要求书

1.发光设备，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上的包括氮化钛的阳极；

覆盖所述阳极和相邻阳极之间的孔隙的绝缘层；

在所述阳极之上的阴极；以及

包括至少一种有机化合物并插入在所述阳极和所述阴极之间的层，

其中所述阳极具有光屏蔽能力和5.0ev或以上的功函数，以及

其中所述阴极包括透光导电膜。

2.发光设备，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上的半导体层；

与所述半导体层相邻的栅极电极，栅极绝缘膜插在其间；

在所述半导体层和所述栅极电极之上的中间层绝缘膜；

在所述中间层绝缘膜之上的具有光屏蔽能力的阳极，所述阳极通过 所述中间层绝缘膜中的接触孔与所述半导体层相连；

在所述阳极之上并包括透光导电膜的阴极；以及

包括至少一种有机化合物并插入在所述阳极和所述阴极之间的层，

其中所述阳极包括具有5.0ev或以上的功函数的氮化钛。

3.发光设备，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上的具有半导体层的薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管之上的中间层绝缘膜；以及

在所述中间层绝缘膜之上的发光元件，其中所述发光元件具有包括 氮化钛的阳极、阴极和包括至少一种有机化合物的层，

其中所述阳极连接到所述薄膜晶体管的所述半导体层，以及

其中所述阳极具有5.0ev或以上的功函数。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述阴极包括透光导电膜。

5.如权利要求3所述的设备，其中所述阳极通过所述中间层绝缘膜 中的接触孔与所述薄膜晶体管的所述半导体层相连。

6.如权利要求1至3中任一权利要求所述的设备，其中所述阳极包括 电阻率为1x10^-2Ωcm或者更小的材料。

7.如权利要求3所述的设备，其中所述阳极具有光屏蔽能力。

8.如权利要求1至3中任一权利要求所述的设备，其中所述发光设备 是从由数字静态照相机、笔记本个人电脑、移动电脑、具有记录介质 的便携式图像再现设备、护目镜型显示器、视频摄像机和蜂窝式电话 构成的组中选择的一种。

9.制造发光设备的方法，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上形成包括氮化钛的阳极；

使所述阳极的表面经受UV臭氧处理；

在所述阳极之上形成包括至少一种有机化合物的层；以及

在所述包括至少一种有机化合物的层之上形成阴极，

其中所述阳极在UV臭氧处理之后具有5.0ev或以上的功函数。

10.制造发光设备的方法，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上形成半导体膜；

形成与所述半导体膜相邻的栅极电极，栅极绝缘膜插在其间；

在所述半导体膜和所述栅极电极之上形成中间层绝缘膜；

在所述中间层绝缘膜之上形成包括氮化钛的阳极；

使所述阳极的表面经受UV臭氧处理；

在所述阳极之上形成包括至少一种有机化合物的层；以及

在所述包括至少一种有机化合物的层上形成阴极，

其中所述阳极在UV臭氧处理之后具有5.0ev或以上的功函数。

11.制造发光设备的方法，包括：

在具有绝缘膜的衬底之上形成包括氮化钛的阳极；

使所述阳极的表面经受UV臭氧处理；

在所述阳极之上形成包括至少一种有机化合物的层；以及

在所述包括至少一种有机化合物的层上形成阴极。

其中所述阳极具有光屏蔽能力，

其中所述阳极在UV臭氧处理之后具有5.0ev或以上的功函数，以及

其中所述阴极包括透光导电膜。