[发明专利]纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法

权利要求书

1.纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于，包括步骤：

在基底上或微纳器件的表面形成至少两条相交的坐标线，每条坐标线上设有至少三级不同精度的坐标刻度；

将纳米材料或微纳器件置于所述基底上；

将所述基底置于显微装置的显微平面上；

移动所述基底，直至所述纳米材料或微纳器件位于所述显微装置的显微范围内；

利用所述显微装置显示或采集所述纳米材料或微纳器件的第一图像；

沿垂直于多条坐标线中的第一坐标线的第一方向移动基底，直至所述第一坐标线上最高精度的坐标刻度中的一个刻度位于所述显微装置的显微范围内的第一特定位置上；

记录上述显微装置的显微范围内的特定位置处的坐标刻度为定位坐标刻度，记录所述基底的移动距离为定位距离；

将所述基底从所述显微平面上移开后对基底上的纳米材料或微纳器件进行处理；

再次将基底置于显微装置的显微平面上；

移动所述基底，直至所述第一坐标线上的定位坐标刻度位于所述显微装置的显微范围内的所述第一特定位置上；

沿所述第一方向的反方向移动所述基底，移动距离为所述定位距离；

利用所述显微装置显示或采集所述纳米材料或微纳器件的第二图像。

2.如权利要求1所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于，所述记录上述显微装置的显微范围内的特定位置处的坐标刻度为定位坐标刻度，记录所述基底的移动距离为定位距离步骤之后以及将所述基底从所述显微平面上移开的步骤之前还包括步骤：

沿所述第一方向的反方向移动所述基底，移动距离为所述定位距离；

沿垂直于多条坐标线中的第二坐标线的第二方向第二次移动基底，直至所述第二坐标线上最高精度的坐标刻度中的一个刻度位于所述显微装置的显微范围内的第二特定位置上；

记录上述显微装置的显微范围内的特定位置处的坐标刻度为第二定位坐标刻度，记录所述基底的第二次移动距离为第二定位距离。

3.如权利要求2所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于，所述沿所述第一方向的反方向移动所述基底，移动距离为所述定位距离步骤之后以及利用所述显微装置显示或采集所述纳米材料或微纳器件的第二图像的步骤之前还包括步骤：

移动所述基底，直至所述第二坐标线上的第二定位坐标刻度位于所述显微装置的显微范围内的所述第二特定位置上；

沿所述第二方向的反方向移动所述基底，移动距离为所述第二定位距离。

4.如权利要求1或2所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于：所述第一特定位置和所述第二特定位置均为所述显微装置的显微范围的中心。

5.如权利要求1所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于：所述坐标线有四条，四条坐标线围成正方形。

6.如权利要求1所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于：相邻两个精度的坐标刻度之间的精度比为1∶10或10∶1。

7.如权利要求1所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于：所述坐标刻度的值相间隔地以字母或数字表示。

8.如权利要求1所述的纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法，其特征在于：所述基底上或微纳器件的表面还设有表示移动方向的方向坐标。