[发明专利]一种四氧化三钴薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910152682.7 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101665329A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 赵士超;吕燕飞;霍德璇;季振国 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/27 | 分类号： | C03C17/27;C01G51/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 杜 军 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种四氧化三钴薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤(1)将六水合氯化钴晶体溶于乙二醇溶剂配成氯化钴溶液，氯化钴溶液的浓度为0.05～0.5mol/L；
步骤(2)将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，乙二胺溶液中含乙二胺1～5％；
步骤(3)将乙二胺溶液加入到氯化钴溶液中至PH值为6～7，形成混合溶液；
步骤(4)将混合溶液在20～60℃条件下保温6～20小时形成溶胶；
步骤(5)将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；
步骤(6)将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成四氧化三钴薄膜。
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