[发明专利]单台面串联平面PN结芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种单台面串联平面PN结芯片，包括硅基片(1)，所述硅基片(1)， 是一个具有第一主表面(101)和与所述第一主表面(101)相对的第二主 表面(102)的基片，在所述硅基片(1)上直接或间接形成有串联平面型 的第一PN结(2)和第二PN结(3)，其特征在于所述第一PN结(2)和 第二PN结(3)边缘设有单台面(4)，第一PN结(2)和第二PN结(3) 均暴露在同一单台面(4)侧壁，在单台面(4)侧壁上形成有钝化层(5)， 该钝化层对前述两个PN结实施完全的包封。

2.根据权利要求1所述单台面串联平面PN结芯片，其特征在于：所 述钝化层为玻璃钝化层或者CVD沉积膜。

3.根据权利要求1或2所述单台面串联平面PN结芯片，其特征在于： 所述第一PN结(2)和第二PN结(3)依据硅基片(1)的导电类型不同 可形成PNP型或NPN型。

4.一种制作单台面串联平面PN结芯片的方法，其特征在于包括以下 步骤：

a.在第一导电类型的硅基片(1)第一主表面(101)和第二主表面(102) 两面同时掺入第二导电型杂质，这一过程通过扩散的方法实现，此过程在 硅基片(1)第一主表面(101)和第二主表面(102)两面形成第二导电 类型层，即形成串联的第一PN结(2)和第二PN结(3)；

b.将硅基片(1)第一主表面(101)面研磨，使第一PN结(2)到硅 基片(1)研磨后的表面(103)的距离符合预定深度；

c.在硅基片(1)研磨后的表面(103)进行光刻、腐蚀，形成单台面 (4)，使第一PN结(2)和第PN结(3)均暴露在单台面(4)侧壁；

d.在单台面(4)侧壁形成钝化层(5)，使第一PN结(2)和第二PN 结(3)与外界隔离；

e.采用镀镍或蒸镀的方式完成表面金属化。

5.根据权利要求4所述制作单台面串联平面PN结芯片的方法，其特 征在于：最终形成的串联平面PN结中，距硅基片(1)研磨后的表面(103) 相对较远的第一PN结(2)，其与研磨后表面(103)之间的距离要小于其 与硅基片(1)第二主表面(102)之间的距离，第二PN结(3)位于第一 PN结(2)与研磨后的表面(103)之间。

6.根据权利要求4或5所述制作单台面串联平面PN结芯片的方法， 其特征在于在步骤d中，钝化层(5)为玻璃钝化层或者CVD沉积膜。

7.一种制作单台面串联平面PN结芯片的方法，其特征在于包括以下 步骤：

a.在第一导电类型硅基片(1)的第一主表面(101)面外延一层第二 导电类型层(201)，形成第一PN结(2)；

b.在外延层(201)距离硅基片(1)第一主表面(101)较远的外延 层面(202)掺入高浓度的可使外延层(201)重新变为电阻率更低的第一 导电类型层的杂质，这一过程通过扩散的方法实现，此时形成第二PN结 (3)；

c.在距离硅基片(1)第一主表面(101)较远的外延层面(202)进 行光刻、腐蚀，形成单台面(4)，使第一PN结(2)和第PN结(3)均 暴露在单台面(4)侧壁；

d.在单台面(4)侧壁形成钝化层(5)，使第一PN结(2)和第二PN 结(3)与外界隔离；

e.采用镀镍或蒸镀的方式完成表面金属化。

8.根据权利要求7所述制作单台面串联平面PN结芯片的方法，其特 征在于：最终形成的串联平面PN结中，距硅基片(1)的外延层面(202) 相对较远的第一PN结(2)，其与外延层面(202)之间的距离要小于其与 硅基片(1)第二主表面(102)之间的距离，第二PN结(3)位于第一 PN结(2)与硅基片(1)的外延层面(202)之间。

9.根据权利要求7或8所述制作单台面串联平面PN结芯片的方法， 其特征在于在步骤d中，钝化层(5)为玻璃钝化层或者CVD沉积膜。