[发明专利]在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法

权利要求书

1.在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法，其特征包括以下步骤：

1)将清洗后的硅片基板放入射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积装置的反应室中，反应室真空度抽至1×10^-4～3×10^-4Pa，室温下通入20sccm流量的H₂，压力保持在50Pa，射频辉光功率100W，放电10～30min，进一步清洗硅片基板；

2)以H₂稀释至体积浓度为5～20％的SiH₄和C₂H₄的混合气体为反应气源，C₂H₄/(C₂H₄+SiH₄)摩尔比为0.33～0.99，混合气体以流量22～70sccm引入真空反应室中，在基板温度为室温～350℃，30～60Pa压力，射频功率20～150W下，产生辉光进行反应，在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法，其特征是将制得的光致发光氢化非晶碳化硅薄膜原位在压力0～4000Pa的H₂氛围下，于350～600℃下退火30～90min。