[发明专利]一种硅太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及一种电池，尤其是涉及一种硅太阳能电池。

背景技术

随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视。太阳能的利用方式有多种，包括光能-电能转换、光能-热能转换等。太阳能电池是光能-电能转换的最典型例子，其是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。太阳能电池根据半导体光电转换材料种类的不同，可分为多种，其中，硅太阳能电池最为常见。

目前，市场上常见的比较成熟的硅太阳能电池如图1a、图1b和图1c所示，该硅太阳能电池包括硅基体1，利用扩散工艺在硅基体1中掺入杂质，如硼、磷等，当掺入硼原子时，硅基体1中就会存在着一个空穴，形成p型半导体82，同样，掺入磷原子以后，硅基体1中就会存在着一个电子，形成n型半导体81，p型半导体82与n型半导体81结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里形成电势差，即pn结83，硅基体1的正面通过采用等离子体增强化学气相沉积法沉积有一层氮化硅膜2，氮化硅膜2上采用银浆料丝网印刷有主栅线3和一组均匀分布且与主栅线3相连接的副栅线4，由主栅线3构成正面金属电极(负电极)，装配时直接从主栅线3上引出负电极导线，光照下硅太阳能电池产生的电流通过副栅线4再汇聚到主栅线3后导出，在工艺上通常要求副栅线4的间距约3mm及宽度约0.10～0.12mm，硅基体1的背面涂覆有铝浆料构成铝背场6，铝背场6构成背面金属电极(正电极)，为便于在铝背场6上引出正电极导线，通常在铝背场6上采用银浆料印刷有焊接条7，通过焊接条7引出正电极导线，其中主栅线3、副栅线4及焊接条7均利用银浆料通过丝网印刷、烘干、快速烧结热处理等工序制得，这种硅太阳能电池一般要求主栅线3和副栅线4与硅基体1的正面能够实现良好的欧姆接触，并同时要求主栅线3和副栅线4尽量的细，以减少主栅线3和副栅线4对太阳入射光的遮挡，增大有效光照面，提高硅太阳能电池的单位面积发电量。但是即使将主栅线做得再细，也还是具有一定的宽度，目前的太阳能电池的主栅线的面积最少也要占总面积的3.5％，因此这种硅太阳能电池未能真正达到有效增大有效光照面的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够很好地增大电池正面有效光照面，提高单位面积的发电量，且结构简单的硅太阳能电池。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种硅太阳能电池，包括硅基体，所述的硅基体的正面沉积有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上设置有一组间距均匀的副栅线，所述的硅基体的背面涂覆有铝浆料构成铝背场，所述的铝背场构成电池的正电极，所述的硅基体的背面设置有与所有所述的副栅线空间相垂直的主栅线，所述的硅基体上设置有多个贯穿所述的硅基体的导电通孔，所述的导电通孔内填充有导电浆料，每根所述的副栅线和所述的主栅线分别连接于所述的导电浆料的两端，所述的副栅线通过所述的导电浆料与所述的主栅线相互导通，所述的主栅线构成电池的负电极，所述的主栅线的周边设置有用于隔离所述的铝背场和所述的主栅线的绝缘槽。

所述的导电浆料为具有良好导电性能的银浆料。

所述的绝缘槽为在所述的铝背场上通过激光技术划片制成。

所述的导电通孔的直径大于等于所述的副栅线的线径。

与现有技术相比，本发明的优点在于通过将主栅线设置在硅基体的背面，再在硅基体上设置贯穿硅基体的导电通孔，在导电通孔内填充导电浆料，每根副栅线与主栅线分别连接于导电浆料的两端，使副栅线与主栅线相互导通，主栅线构成电池的负电极，这样在光照下硅太阳能电池产生的电流通过副栅线再经过导电通孔内的导电浆料汇聚到主栅线上导出，这种结构的硅太阳能电池由于用于汇聚电流的主栅线设置于硅基体的背面，减少了电池正面的遮光面积，增加了电池正面的有效光照面，从而提高了硅太阳能电池的单位面积发电量。

附图说明

图1a为现有的硅太阳能电池的正面结构示意图；

图1b为现有的硅太阳能电池的背面结构示意图；

图1c为现有的硅太阳能电池的剖视示意图；

图2a为本发明的硅太阳能电池的正面结构示意图；

图2b为本发明的硅太阳能电池的背面结构示意图；

图2c为本发明的硅太阳能电池的剖视示意图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。