[发明专利]一种纳米孔电学传感器

权利要求书

1.一种纳米孔电学传感器，其特征在于包括基板(1)、第一绝缘层(2)、 对称性电极(3)、电接触层(4)、第二绝缘层(5)和纳米孔(6)；在基板(1) 上依次设有第一绝缘层(2)、对称性电极(3)，在第一绝缘层(2)上和对称性 电极(3)边缘上设有电接触层(4)，在对称性电极(3)上设有第二绝缘层(5)， 在基板(1)、第一绝缘层(2)、对称性电极(3)和第二绝缘层(5)的中心设 有纳米孔(6)；所述的对称性电极(3)对称性地分布于纳米孔(6)周围，电极 之间互相不接触；对称性电极(3)的材料为层状导电材料石墨，电极的厚度为 0.35～3.5nm。

2.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的对称性 电极(3)为2～30对中心发射状纳米电极。

3.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的基板 (1)的材料为半导体材料或绝缘材料，半导体材料为Si、GaN、Ge或GaAs 中的一种，绝缘材料为SiC。

4.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的第一绝 缘层(2)和第二绝缘层(5)的材料为SiO₂、Al₂O₃、BN、SiC或SiN_x中的一 种或多种的层状混合物。

5.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的石墨为 1～10层的石墨烯。

6.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的电接触 层(4)的材料为Au、Cr、Ti、Pd、Pt、Cu、Al或Ni中的一种或多种的混合物。

7.根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的纳米孔 (6)的孔径为1～50nm。